プロダクト細部 包装 管 部分の状態活動的 FETのタイプN-Channel 技術MOSFET (金属酸化物) 流出させなさいに源の電圧(Vdss)100V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C72A (Tc) ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V (最高) @ ID、VgsのRds.......
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