transistor ic chip fdpc5018sg

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

SS495A1整流器ダイオードの一般目的のトランジスターIC破片の電子工学 特徴: 1小型の（.160の× .118N） 1低い電力の消費- 5 VDC 1のの普通7 mA高精度な実用温度範囲1つに単流沈むか、または現在の調達の線形出力1作り付けの薄膜の抵抗器-は精密な感受性および温度修正のために.......

TIP127 ダーリントン トランジスタ IC チップ 集積回路 IC チップ IC 製品説明 部品番号 #ヒント127ST Technologies によって製造され、Jalixin によって販売されています。電子製品の大手販売代理店の 1 つとして、当社は世界の.........

NCP59744MN1ADJTBG LDO力管理は3AトランジスターIC破片を欠く NCP59744MN1ADJTBG LDOの電圧安定器3Aの二重柵VLDO林REGのトランジスターIC破片 製造業者: onsemi 製品カテゴリ:.........

FQPF4N65C - N-Channel MOSFETのトランジスター有効な力管理導入のための高性能トランジスター FQPF4N65C -力管理適用の高性能そして効率を提供するように設計されている最終的なN-channel MOSFETのトランジスター。この多目的なトランジスターは広い応用.........

IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........

TPS40200D TPS40200DR 40200 SOP8スイッチ・コントローラの集積回路（IC） 1特徴 入れられた電圧範囲4.5 Vto 52ボルト出力電圧（90% VNへの700 mV）200 mA内部P-channel FETの運転者。電圧正方向送りの補償不足電圧閉鎖プログ.........

71004SBパワーMOSFET ICチップ中国メーカーChina Integered Circuit 特徴 •1.2〜3.6 Vの広い電源電圧範囲 •JEDEC標準品番に従って。 8-1A •入力は最大5.5Vの電圧を受け付けます •CMOS低消費電力 •TTLレベル.........

製品説明: 電子ICチップは,電子部品に広く使用されているプログラム可能な集積回路チップである.彼らは,電力管理,信号処理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電源管理,電........

BUK9Y40-55B/C2 Chipscomponentの電子部品ICの破片 分離した半導体製品、ダイオード、整流器、単一のダイオードダイオード20 V 2Aの表面の台紙のタイプSOT669 製品の説明: シンセンの中心の源の技術Co.、株.........

IKW30N60TFKSA1 TO247-3 製品の説明 優秀な熱性能のためのXTの結合の技術 高められたなだれの機能 PCBへの直接統合のためのSMDのパッケージ 最大限に活用された転換の性能のための感覚ピン FAQ Q1:どの位あなたの受渡し時間はあ.........

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SAK-XC2365A-104F80LR ABの新しい元の電子部品ICの破片の集積回路BOMのワンストップ購入点の商品 製品の説明 産業適用で一般的の複数のマイクロ制御回路家族、自身のいくつかの特性とのそれぞれおよび機能がある。最も普及した家族のいくつかは下記のものを含んでいる: 1..........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

製品説明 製品種類:MOS FET トリオードモデル番号:2SD2059シリーズ:2059販売者:ケイパッケージ:TO-220スタイルをインストールする:透孔新品とオリジナル 2SD2059TO-220 MOS FET トリオードICチップの1つです 連絡先:グオさんテレフォン:+86 1343........

ULN2003ADR ICの破片の高圧高現在のダーリントンのトランジスター配列 両極（BJT）トランジスター配列7 NPNダーリントン50V 500mA 16-SOIC 製造業者 テキサス・インスツルメント シリーズ -.........

1SG280LU2F50E2VG ICチップ トランジスタ 電子部品 集積回路コンデンサ 情報をここで検索します.xlsx 製品属性 タイプ 記述 カテゴリー 集積回路 (IC) 埋め込み FPGA (フィールドプログラム可能なゲートアレイ) Mfr インテル.........

一般目的の表面の台紙AFGB40T65SQDN IGBTのトランジスター自動車は欠ける AFGB40T65SQDNの製品の説明 AFGB40T65SQDNは表面の台紙Transistors.PackageがTO-263-3の単一IGBT 650 V 80 A 238 Wである。 A.........

プロダクト リスト: 製品名:NLVVHC1GT125DF1Gの電子部品ICの破片 記述:NLVVHC1GT125DF1Gの電子部品ICの破片は低電圧、高い現在の絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）破片である。この破片はパワー エレクトロニクス、モーター.........

高光:電子部品/統合回路/ICチップ 製品属性 切断テープ (CT) Digi-Reel® タイプ 記述 選択する カテゴリー 離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極トランジスタ配列.........