AOD42420V NチャネルMOSFET 概説 AOD424コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。この装置は負荷スイッチにとって理想的ですそして電池の保護適用。 変数 部.........
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......
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RD100HHF1 MOSFETのタイプ トランジスターはHFの高い発電のアンプの塗布のためにとりわけ設計しました 特徴 •高い発電および高利得:Pout>100W、Gp>11.5dB @Vdd=12.5V、f=30MHz •高性能:60%typ.on HFバンド 適用 HFバンド移動式無線送受信機......
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...
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SI4703-C19-GMR RF力トランジスター 製品の説明: SI4703-C19-GMRはBiCMOS高圧プロセスを使用して設計されている高度RF力トランジスターである。この装置はHFおよびVHFバンドの強力な、高性能の、低雑音の適用のために適している。それは広.........
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CPDQC3V3T-HFのダイオードの三極管の回路保護TVのトランジスターCPDQC3V3T-HFの指定 シリーズ RoHS RoHS タイプ Zener 部分の状態 活動的 適......
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HFのろう付けし、熱する機械 および技術プロダクトに基づいて、私達はソリッド ステート中間の、超音波および高周波電源および自動化されたトランジスターAC電圧安定器を開発した。ずっと、ほぼ150組の高周波熱処理、熱処理および管の溶接両方で国内外で使用された私達のソリッド ステート中間の、.........
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前偏りのある両極トランジスター（BJT） 2 NPN -前偏りのある（二重） 50V 100mA 250MHz 150mWの表面の台紙SOT-363...
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2SC2099 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路2SC2099 C2099 指定 項目 価値 D/C 新しい...
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AL2O3アルミナの陶磁器の版の陶磁器の絶縁材の上昇温暖気流はアルミナの酸化物の陶磁器の版にパッドを入れます アルミナの酸化物の陶磁器の版に高い熱伝導性があります:24w/m.k、 0.635mm、1.0mm、2.0mm、3.0mm、4.0mmはTO-220、TO-247、TO-26.........
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