SI4703-C19-GMR RF力トランジスター-密集した高性能および信頼できる性能
型式番号:SI4703-C19-GMR
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
納期:1-7日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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SI4703-C19-GMR RF力トランジスター
製品の説明:
SI4703-C19-GMRはBiCMOS高圧プロセスを使用して設計されている高度RF力トランジスターである。この装置はHFおよびVHFバンドの強力な、高性能の、低雑音の適用のために適している。それは広い帯域幅、高出力力および低雑音図を特色にする。SI4703-C19-GMRはRFのアンプ、RFの電力増幅器、強力なRFの送信機を含むいろいろなRFの適用の使用のために適して、もっと。
主要特点:
- 0.7からの500のMHzへの広帯域操作
- 高出力力の11.5までdBm
- 1.7 dBの低雑音図
- 1.5:1の広いVSWR
- 20 dBの高利得
- 50%までの高性能
- 33%までの高いパワー加えられた効率
- -温度および < 0=""> 老化に安定性が高いの低くself-heating
- 迎合的なRoHS
パッケージ:
- 3つのmm X 3つのmm
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SI4703-C19-GMR RF力トランジスター-密集した高性能および信頼できる性能
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