トランジスタ構成

2SD2227S NPN PNPのトランジスター一般目的のトランジスター50V 0.15A 中型力トランジスター（25V、1.2V）、一般目的のトランジスター（50V、0.15A） 特徴 1) 高いDCの現在の利益。 2) 高いエミッター基盤の電圧。（VCBO=12V） 3) 低い飽和電圧。（Typ......

TIP120 Npn 高周波トリオードトランジスタ MOSFET Nチャネルトランジスタ 150V 104A TO220AB TIP120 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........

BD681 NPN Darlington 力トランジスター中型力の切換え ■ SGS-THOMSON によって好まれる SALESTYPES ■補足 PNP - NPN 装置 ■単一 DARLINGTON の構成 ■の統合された ANT.........

V構成Mosの電界効果トランジスタN/Pチャネルの強化モード Mosの電界効果トランジスタの紹介 MOSFETの技術は抵抗の低いスイッチは高い効率度が達成されることを可能にする多くの力の適用の使用にとって理想的です。 異なった製造業者、自身の特徴とのそれぞれおよび能力から利用できる.........

高品質のBC337-40 NPN双極トランジスタ 一般用途用 電子回路の強化には STMmicroelectronics BC337-40 NPN 双極トランジスタが必要です信頼性と多角性を有する性能. BC337-40は単一のNPN構成を備えており,TO-92-3パッケージで提供されており,様々な......

STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスター650V 80A 469W IGBTトランジスターを絶縁した 適用 •光起電インバーター •高周波コンバーター 指定 製品特質 属性値 製造業者: STMicroelectronics.........

AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター高性能の低雑音の50オーム入出力インピーダンス プロダクト リスト: AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品タイプ:RF力トランジスター パッケージのタイプ:巻き枠 トランジスターの数:7 構成:片端接地.........

JAN2N2222A 双極トランジスタ - BJT 50 V 小信号 BJT 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について N テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-18-.........

MOSFETトランジスタTIP122ダーリントンNPN 100V 5A 2000mW TO220パワートランジスタ TIP120、TIP121、TIP122 TIP125、TIP126、TIP127 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

穴力ダーリントンによるTIP127ダーリントンのトランジスターPNP 低電圧補足力のダーリントンのトランジスター 特徴•低いcollector-emitterの飽和電圧 •補足NPN - PNPのトランジスター 適用 •一般目的の線形および転換 記述 装置は「基.........

MMUN2214LT1G バイポーラ トランジスタ - プリバイアス 100mA 50V BRT NPN IC 製品説明 バイポーラトランジスタ - プリバイアス 100mA 50V BRT NPN 製品特性 &.........

プロダクト細部製品カテゴリ:両極トランジスター様式の取付け:穴を通してトランジスター極性:PNP構成:単一最高エミッターの電圧VCEO:- 140ボルト基礎電圧VCBO:- 140ボルトエミッターの基礎電圧VEBO:- 5ボルトCollector-Emitterの飽和電圧:2ボルト利益帯域幅プロダク......

ULN2803ADWR電子Componantsの新しく、オリジナルの集積回路IC 製品の説明 ダーリントンのトランジスター トランジスターは配列する プロダクト特性 製造業者: テキサス.........

2SD2227S NPN PNP トランジスタ 一般用途 トランジスタ 50V 0.15A 中等電源トランジスタ (25V,1.2V),一般用途トランジスタ (50V,0.15A) 特徴 1) 高DC電流増幅 2) 高出力ベース電圧 (VCBO=12V) 3) 低飽和電圧 (IC/IB=.........

集積回路の破片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFNのN-Channel MOSFETのトランジスター BSZ060NE2LSATMA1の製品の説明 BSZ060NE2LSATMA1は半橋構成（力の段階5x6）で利用できるOptiMOS™ 25VのMOSFETsのトランジ.........

L2N7002KLT1G LRCの電子ダイオードおよびトランジスター60V 320mA SOT-23 製造業者部品番号:L2N7002KLT1G Rohsコード:はい 部分のライフ サイクル コード:接触の製造業者 パッケージの記述:小さい輪郭、R-PDSO-G3 範.........

MMBT3904LT1G LEDの運転者ICの破片MMBT3904L BJTSの両極トランジスター MMBT3904LT1G、SOT-23-3、Onsemi、MMBT3904L、BJTs -両極トランジスター、トランジスター、SMD/SMT、SOT-23-3 製品特.........

記述FR-A520-2.2K トランジスタリズドインバーター FREQROL A500 SERIES 200 V CLASS 2.2 KW (3 hp) 詳細は FR-A520-2.2K トランジスタリズドインバーター FREQROL A500シリーズ 200Vクラス 2.2 KW (3.........