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2SD2227S NPN PNPのトランジスター一般目的のトランジスター50V 0.15A
中型力トランジスター（25V、1.2V）、一般目的のトランジスター（50V、0.15A）
特徴
1) 高いDCの現在の利益。
2) 高いエミッター基盤の電圧。（VCBO=12V）
3) 低い飽和電圧。（Typ。VCE （坐る） IC/IB=50mA/5mAの=0.3V）
| 製品特質 | 属性値 |
| 土台様式: | SMD/SMT |
| トランジスター極性: | NPN |
| 構成: | 単一 |
| 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: | 50V |
| コレクターの基礎電圧VCBO: | 60V |
| エミッターの基礎電圧VEBO: | 12V |
| 最高DCのコレクター流れ: | 0.15A |
| 利益帯域幅プロダクトfT: | 250のMHz |
| 最高使用可能温度: | + 150 C |
| 最高DCの現在の利益hFE: | 5ボルトの1 mAの1200 |
| 連続的なコレクター流れ: | 0.15A |
| Pd -電力損失: | 300 MW |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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