負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター記述 50P03NFは提供するのに高度の堀の技術を使用します優秀なR DS ()、ゲートとの低いゲート充満および操作4.5V低い電圧。この装置は適していますのためにalo.........
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BD681 NPN Darlington 力トランジスター中型力の切換え ■ SGS-THOMSON によって好まれる SALESTYPES ■補足 PNP - NPN 装置 ■単一 DARLINGTON の構成 ■の統合された ANT.........
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BUK201-50Y NPN PNPのトランジスターPowerMOSのトランジスターTOPFET高い側面スイッチ 記述 単一温度 積み過ぎによって保護される電源スイッチ aのMOSFETの技術に基づく わずかな負荷流れ(ISO) 形成される5つのピン プラスチック封筒 単一の高い側面スイッチとして。 ......
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ダーリントン アンプおよび切換えの塗布のための両極Mosfet力トランジスターTIP142 TIP140、TIP141、TIP142、(NPN);TIP145、TIP146、TIP147、(PNP)記述 装置は「基礎島」のレイアウトおよびダーリントン単一構成の平面の技術で製造されます。非常に低.........
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BD681 NPNダーリントン力トランジスター中型力の切換え ■SGS-THOMSONはSALESTYPESを好んだ ■補足PNP - NPN装置 ■ダーリントン単一構成 ■統合されたANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTERのダイオード.........
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高い発電の適用のためのIRF8010PBF MOSFET力トランジスター高速切換え プロダクト リスト:IRF 8010 PBF MOSFET 特徴: •100ボルトの下水管源の絶縁破壊電圧 •100ボルトの最高の下水管源の電圧 •500mAの連続的な下水管の流れ(Tc =25ºC).........
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MYL1型電撃保護 トランジスタ,ダイオード,半導体スイッチコンポーネントのバリストール超電圧保護 紹介 MYL1型防雷ワリスターは,防雷に使用される電子部品である. 特徴 サイズが小さく,流量容量も大きく,エネルギー容量も高い エポキシ樹脂の保温用封筒 応答時間: < 25 ns.........
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強いR&の切換えおよびAFのアンプの適用のためのSOT-23 NPNのトランジスターBC847;Dの機能、高度の生産設備および完全な測定装置。私達はISO9001質の管理システムに従って修飾された製品とサービスを供給する。すべてのプロダクトは危険な物質テストに、合ったEUの標準に合格し、米国......
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........
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Infineon 600V Coolmos IPB60R099P7 600V 31A 77 MOhms Npn力トランジスター 適用 •懸命に転換PWMの段階および共鳴転換の段階 •アダプター、LCD&PDP TVの照明 記述 600V CoolMOSª P7力トランジスター C.........
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極度に汎用性のある電子部品 IP67 のスイッチタイプ 1.メカニカルスイッチスイッチを切り替える:レバーを動かして操作する.触覚スイッチ: 押すと目に見えるクリックをします.スライドスイッチ: 回路を開閉するためのスライドメカニズムを備えています.2.電子スイッチトランジスタスイッチ:電流を制御.......
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PLC DCトランジスタMOSFETモジュール24Vトリガ8 CHホームインテリジェント制御用 トランジスタとは 固体半導体デバイスであるトランジスタは、検出、整流、増幅、スイッチング、調整、信号変調、および他の多くの機能に使用できます。 トランジスタは、入力電圧に基づいて電流の流出を制御する.........
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MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........
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強力な電子工学の性能のための買物LKW40N120H3LKW40N120H3トランジスターの賛否両論 強力なトランジスターをあなたの電子工学の性能を高めるために捜すことか。LKW40N120H3を考慮しなさい。このトランジスターは一般目的の切換えさせる高圧評価をから運動制御にそれを、いろいろ.........
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IRFP4227 200V 65A NチャネルMOSFETトランジスター247AC IRFP4227PBF 特徴 先端プロセス技術 PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーションに最適化された主要パラメータ PDPサスティン、エネルギー回収およびパススイッチの電力損失を.........
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GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 Nチャネル600V 15A強化モードトランジスタ 8-LDFN 製品説明IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3はNチャンネル600V 15A強化モードトランジスタです. 特徴 についてIGLD60R070D1.........
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MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh.........
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単一のトランジスター両極NPN 100V 65W 6A両極トランジスターTIP41C プロダクト 記述: 、NPN両極、1.TIP41C単一のトランジスター100ボルト、65 W、6 Aの75 hFE2. TIP41CのNPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15のパッケージ........
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