Infineon高速IGBTのトランジスター モジュール実用的なLKW40N120H3
型式番号:LKW40N120H3
部品番号:LKW40N120H3
ブランド:INFINEON
タイプ:igbtのトランジスター
特徴:高速
条件:新しい
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
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強力な電子工学の性能のための買物LKW40N120H3
LKW40N120H3トランジスターの賛否両論
強力なトランジスターをあなたの電子工学の性能を高めるために捜すことか。LKW40N120H3を考慮しなさい。このトランジスターは一般目的の切換えさせる高圧評価をから運動制御にそれを、いろいろな適用の使用にとって理想的に自慢する。LKW40N120H3の最も大きい賛成論の1つは速い切り替え速度である。これは意味し、不規則な州間の転移すぐにできることを応用範囲を渡る有効な、信頼できる性能を可能にする。
さらに、高い現在の処理の機能はそれが電子デバイスの要求でする容易に作動するように。但し、LKW40N120H3にある潜在的な欠点があることに注意することは重要である。1つはそれに予算に敏感なバイヤーのための最もよい選択をしないかもしれない他のトランジスターと比較される比較的高い費用である。さらに、それは複雑な電子システムの最適化されたパフォーマンスを保障するために広範なテストし、調整を要求するかもしれない。
全体的にみて、LKW40N120H3は電子工学の性能を高めるために見るそれらのための強力な、信頼できるトランジスターである。それが高い値の段と来、最大限に活用するための人一倍の努力を要求するかもしれない間、速い切り替え速度および高い現在の処理の機能はの価値を持ってそれを広い応用範囲のための考慮よく作る。
技術的詳細:
- 製造業者:Infineon
- 製品カテゴリ:IGBTのトランジスター
- 技術:Si
- パッケージ/場合:TO-247-3
- 様式の取付け:穴を通して
- 構成:単一
- 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:1.2 kV
- Collector-Emitterの飽和電圧:2.05 V
- 最高のゲートのエミッターの電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト
- 25 Cの連続的なコレクター流れ:80 A
- Pd -電力損失:483 W
- 最低の実用温度:- 40 C
- 最高使用可能温度:+ 175 C
- シリーズ:Trenchstop IGBT4
- 包装:管
- ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
- 最高連続的なコレクター流れIC:80 A
- ゲート エミッターの漏出流れ:600 nA
- 製品タイプ:IGBTのトランジスター
- 下位範疇:IGBTs
- 商号:TRENCHSTOP
- 単位重量:38 g
Infineon高速IGBTのトランジスター モジュール実用的なLKW40N120H3
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