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transistor amplifier design

1 - 20 の結果 transistor amplifier design から 492 製品

集積回路IC E047 05 モスフェットトランジスタ TO247 IRFP064NPBF P3 LEDモジュールトランジスタアンプパーツトランジスタ [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,.........

Time : Apr,27,2025
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BC337 NPNの一般目的のトランジスター 特徴 •高い現在(最高。500 mA) •低電圧(最高。45 V)。 適用 •一般目的の切換えおよび拡大のオーディオ・アンプの例えば運転者そして出力段階。 記述 TO-92のNPNのトランジスター;SOT54プラスチ.........

Time : Dec,01,2024
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TXtelsig YP242434 Wifi RFのアンプ2.4GHz 802.11b/g/n WLANの電力増幅器 YP242434はInGaP信頼性が高い/GaAs HBTの技術に基づく強力な、高直線性の電力増幅器である。それは極度のパワー加えられた効率と強力な、高直線性の適用のために2.4........

Time : Sep,16,2024
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2SC2782 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路2SC2782 指定 項目 価値 D/C 新しい 条...

Time : Nov,24,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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東芝力トランジスター(MA-4400)が付いている3U 4 X 400W ABのクラスの電力増幅器 速い細部: Atopt大きい東芝のトランジスター、非常に完全な音 有効な冷却装置は、電力増幅器の安定性を保障します 古典的なプロダクト、良質 MAシリーズ電力増幅器 驚くべき性.........

Time : May,30,2024
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RD06HVF1 MOS FETのタイプ トランジスター低い電力mosfet高圧力mosfet 記述 RD06HVF1はとりわけVHF RFの電力増幅器の塗布のために設計されているMOS FETのタイプ トランジスターです。 特徴の高い発電の利益: Pout>6W、Gp>.........

Time : May,30,2024
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ダーリントン アンプおよび切換えの塗布のための両極Mosfet力トランジスターTIP142 TIP140、TIP141、TIP142、(NPN);TIP145、TIP146、TIP147、(PNP)記述 装置は「基礎島」のレイアウトおよびダーリントン単一構成の平面の技術で製造されます。非常に低.........

Time : Dec,09,2024
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2SC2690:音声および無線周波数の電力増幅器NECの一般目的のトランジスターの使用 記述2SC2690、2SC2690Aは一般目的のトランジスターである 音声および無線周波数の電力増幅器の使用のために設計されている。 特徴●50に100 Wの運転者段階の使用の.........

Time : May,30,2024
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Time : Aug,13,2023
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Time : Aug,06,2023
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プロダクトP/N:AMP-4CH-24V デジタル出力 ターミナルのPLCそして単一チップマイクロコンピューターの管理委員会のコントローラーの取付けのために適している増幅板。出力電圧を増幅するおよび、プラスチック機械類のような、油圧機械類PLCの接触の大きい負荷電力設備そして保護効果のために現在........

Time : May,30,2024
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AD8351ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品の説明: AD8351ARMZ-REEL7はとりわけRFの電力増幅器の塗布の使用のために設計されている高度のケイ素両極力トランジスターである。それは高性能、広い周波数範囲を渡る高利得、低雑音、および高性能を提供する安価装置で.........

Time : Nov,30,2024
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INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Time : Apr,23,2025
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SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

Time : Nov,19,2024
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穴JFET N -チャネル-を通した2N4416原物30ボルトの低速Ciss 特徴 •InterFET N0026Sの幾何学 •低雑音:典型的な4 nV/√Hz •低い漏出:典型的な10pA •迎合的なRoHS •SMT、TH、および裸は選択パッケージの死ぬ。 記述 -.........

Time : Dec,09,2024
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5A 16チャンネルPLCトランジスタモジュールサーボシステム用24V NPN / PNP入力信号 トランジスタ増幅板は非接触で、DC24Vは5-24Vで制御され、トランジスタ増幅板は大電流と小電流タイプ、大電流MOSチューブ、小電流ダーリントンチューブ、油圧ソレノイドバルブコイル、電磁スイッチ、.......

Time : Dec,09,2024
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