8GHz 6W Rfのトランジスターアンプガリウム窒化物28Vの元の新しい状態へのDC

型式番号:VBE80R6H

原産地:中国

最低順序量:1pcs

供給の能力:10k

受渡し時間:5月8日の作業日

包装の細部:中立的なパッキング

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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Shenzhen Guangdong China

住所： 8つを、Xinweiの工業地帯造る、床4 Nanshan地区、シンセン、広東省、中国

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rf モスフェットトランジスタ 5.1 mosfetのアンプ回路 7.1 増幅器

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8GHz 6W Rfのトランジスター アンプ ガリウム窒化物28Vの元の新しい状態へのDC