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3 年
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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21mOhm @ 25A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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21 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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866 pF @ 40ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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48.4W （Tj）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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FDD86381-F085はインフィニオン・テクノロジーズからの高度力MOSFETである。この装置は高圧、低抵抗、およびhigh-currentの3ピン、TO-252-3パッケージ装置である。それはDC-DCのコンバーターのような力の管理および転換の適用、または自動車および産業部門の使用にとって理想的である。
この装置は損失を転換することを減り、システム効率を高めるのを助ける統合されたSiCショットキーのダイオードを特色にする。FDD86381-F085は多くの適用に強く、信頼できる、費用効果が大きい解決を提供するために半導体デバイスの技術の最も最近の前進を組み込むように設計されている。このプロダクトは多くの適用のための高圧および現在の機能、低いオン抵抗、およびそれに適した選択をする速い転換の時を提供する。
装置は自動車適用のためにAEC-Q101修飾しであり、それを適したようにする。それはまた迎合的な証明されるRoHSおよびULでありそれを広い応用範囲の使用のために安全にさせる。FDD86381-F085は広い応用範囲のためにうってつけの多目的な、高性能装置である。
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