自動車IGBTモジュールFP25R12KT4B11BPSA1の分離した半導体IGBTモジュール FP25R12KT4B11BPSA1の製品の説明 FP25R12KT4B11BPSA1はEconoPIM™2 Modul mitの堀/Feldstopp IGBT4のundのエミッター制御した4つD.........
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IGBT パワーモジュール 2MBI450VX-120-50 1200V 450A 2イン1 パッケージ 特徴 低VCE (座っている)低誘導力モジュール構造溶接器のないプレスフィット端末 申請 モータードライブ,ACおよびDCサーボドライブのためのインバーター断続電源システム,風力タービン,太陽光......
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DP83848TSQ/NOPBを取付ける真新しいトランシーバーIGBT力モジュールSMD IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI DP83848TSQ/NOPB ECADモジュール PCB記号.........
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IGBT力モジュールAMD 216-0809024 ECADモジュール PCBの足跡か記号を造るか、または要求しなさい 需要と供給の状態 限られた 公開市場の擬似脅威 43のpct。 人気.........
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60w高い発電のアンプの塗布のためのKTB817に補足KTD1047 NPNのトランジスター 独特 記号 評価...
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IGBTモジュール（Uシリーズ） 1200V/75A/PIM 特徴 ·低いVCE （坐る） ·密集したパッケージ ·P.C. Board Mountモジュール ·コンバーターのダイオード橋動的ブレーキ回路.........
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真新しい三菱CM20MD-12Hモジュールの中型力の転換 三菱IGBT 最高の評価（Tj = 25°C）インバーター部品ブレーキ部品のコンバーターの部品の共通の評価のコレクター エミッターの電圧ゲート エミッターの電圧コレクター流れのエミッターの現在の最高のコレクターの消滅600 ±.........
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SGP02N120、SGB02N120、SGD02N120 NPT技術の速いS-IGBT •前の生成と比較される40%より低いEoff •短絡はタイムのµs 10抗する •のために設計されている: -運動制御 -インバーター - SMPS •NPT技術の提供:.........
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GT20J101東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用 •第3生成•強化モード •高速:tf = 0.30のµs （最高） •低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.7ボルト（最高） 特徴 記号 評価 単位 Collector-emitter電圧 ......
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