SiCシードウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ 生産グレード シICウエファー成長のためのダミーグレード

SiC種子ウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ生産グレード

6インチ 8インチ SiCシードウエフルの抽象

SiC種子ウエファは,特に電源電子機器の生産において,シリコンカービッド (SiC) の結晶成長プロセスにおいて重要な役割を果たします.単結晶SiCの成長の基礎を設けている厳格な製造プロトコルは,生産級のSiCウエファが欠陥のないことを保証します.高度な純度と構造精度で電気自動車や高周波電子機器などの信頼性と耐久性のあるSiC結晶を必要とするアプリケーションでは,これらの特性が極めて重要です.最適化された種子ウエフルの使用は,究極の半導体装置における優れた結晶品質と性能向上を保証する.

4H シリコンカービッドシード 写真

4Hシリコンカービッドシードの特質は

生産グレードのシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシシ最終製品でのパフォーマンス問題につながります製造級のSiCウエファは,欠陥密度を最小限に抑えるために厳格な品質管理を受けます.結晶の純度と構造質を保証するこの低欠陥密度は,高電圧と高温下で信頼性のある SiC ベースのデバイスの製造に不可欠であり,電力電子のアプリケーションに理想的です.高周波通信システム厳しい環境条件で

4H シリコンカービッドシードの用途

1. 電力電子機器
   4H-SiC種は,電力電子機器で使用されるSiC結晶の栽培に不可欠である. 4H-SiCポリタイプは,高い分解電圧と低導電損失を含む優れた電気特性を提供しています.MOSFET のような電源半導体装置の製造に広く使用されていますこの装置は,電気自動車 (EV),再生可能エネルギーシステム (太陽光および風力発電のインバーター),および産業用電源などのアプリケーションに不可欠です.効率が高く4H-SiCベースのコンポーネントの耐熱性や耐久性により 高性能高温環境に最適です

2. 高温 と 苛酷 な 環境
   4H-SiC の 独特 な 素材 特性,例えば 幅 の 広い 帯域 隙 と 優れた 熱 伝導 性 は,極端 な 条件 で 信頼 的 に 動作 する よう に し て い ます.石油・ガス産業電子部品は高温,放射線,化学的に厳しい環境に耐える必要があります. センサー,アクチュエータなどのデバイス,4H-SiCから作られた電源変換機は,これらの厳しい条件で効率的に動作することができます長期の安定性と信頼性を保証します

3. 高周波およびRFアプリケーション
   4H-SiCは,低電気損失と高い電子移動性により,高周波およびRF (ラジオ周波数) アプリケーションに適しています.電気通信用の高性能 RF とマイクロ波装置で使用されます4H-SiCの効率性と高電力処理能力の恩恵を受けています.現代の通信システムや防衛技術において.

4. 光電子機器とLED
   4H-SiC種子ウエファは,ブルーと紫外線 (UV) 光発光二極管 (LED) とレーザー二極管の生産に不可欠なガリウムナイトリッド (GaN) 結晶の栽培用基板として使用されます.これらの光電子装置はディスプレイに適用されます4H-SiCの優れた熱安定性により高品質のGaN結晶の成長が促進されます.LEDやその他の光電子部品の性能と寿命の向上.

仕様