Cの半導体のための平らで高い滑らかさおよび清潔のサファイアの基質
型式番号:サファイア（Al2O3）
原産地:中国
最低順序量:5部分
支払の言葉:T/T
供給の能力:10000部分/月
受渡し時間:1-4週
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確認済みサプライヤー
Hangzhou Shanghai China
住所：
客室1106,CIBC,198号 武蔵道,杭州,中国人民共和国
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内 30 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
半導体のためのCの平らで高い滑らかさそして高い清潔のサファイアの基質
サファイアのウエファーは従来のサファイアの基質標準等級に加えて高い滑らかさおよび高い清潔のような高い指定を提供する新しい半導体デバイスの研究開発のために主に適している。
主な特長
•高力、高い硬度、高い耐久性（ダイヤモンドへの二番目にだけ硬度）
•高い伝送（赤外線範囲への紫外線の軽い伝送）
•高い耐食性（酸、アルカリ、血しょうへの高度耐性）
•高い絶縁材（絶縁体、電気を行なうこと容易ではない）
•高熱の抵抗（融点2050℃）の熱伝導率（ガラスの40回）
指定
•標準サイズ（φ2 「、3"、4"、6"、8"、12"）、他の特別なサイズ、角の形および他の形は対応できる。
•いろいろ平らなオリエンテーションに対応できる:c平面、r平面、m平面、平面
•両面の粉砕のsingle-sided粉砕
•カスタマイズ可能な打つこと
| 水晶材料 | Al2O3の99,996%、モノクリスタル高い純度Al2O3 | ||||
| 水晶質 | 包含、ブロック マーク、双生児、色、micro-bubblesおよび分散の中心は非存在である | ||||
| 直径 | 2inch | 3inch | 4inch | 5inch | 7inch | |
| 50.8± 0.1mm | 76.2±0.2mm | 100±0.3mm | 標準生産の準備に従って | ||
| 厚さ | 430±15µm | 550±15µm | 650±20µm | 顧客によってカスタマイズすることができる | |
| オリエンテーション | C- M平面（1-100）または平面（1 1-2 0）への平面（0001） 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°のR平面（1-1 0 2）の平面（1 1-2 0）、M平面（1-1 0 0）、あらゆるオリエンテーション、あらゆる角度 | ||||
| 第一次平らな長さ | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32.5±1.5 mm | 標準生産の準備に従って | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平面（1 1-2 0）の± 0.2° | ||||
| TTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| LTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| TIR | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| 弓 | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| ゆがみ | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| 前部表面 | Epi磨かれた（RA< 0=""> | ||||
| 背部表面 | Epi磨かれた良い地面（1.2 µmへのRa=0.5） （RA< 0=""> | ||||
| ノート | 顧客の特定の条件に従って良質のサファイアの基質のウエファーを提供できる | ||||
物理的性質
| 密度 | 3.97 g/cm3 |
| 融点 | 2040の摂氏温度 |
| 熱伝導性 | 27.21と（K） 300 Kのm X |
| 熱拡張 | 5.6 x 10 -6 /K （平行C軸線）及び5.0 （垂直なC軸線） x 10 -6 /K |
| 硬度 | Knoop 2000g圧子との2000 kg/mm 2 |
| 比熱容量 | 419 J/（K） kg X |
| 比誘電率 | 1MHzの11.5 （平行C軸線） 9.4 （垂直なC軸線） |
| ヤングの係数（e） | 335 GPa |
| せん断の係数（G） | 148.1 GPa |
| バルク係数（k） | 240 GPa |
| 伸縮性がある係数 | C11=496C12=164C13=115 C33=498C44=148 |
| 明白な伸縮性がある限界 | 275 MPa （40,000のpsi） |
| ポアソン比率 | 0.25 |
受入検査
Cの半導体のための平らで高い滑らかさおよび清潔のサファイアの基質
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