高功率 500w ライブ放送ソフトライト フラットパネルライト 高色レンダリング ライブ放送撮影に適しています パッケージ: GL 5000C*1pcs,リモコン*1pcs,ディフューザー*1pcs,外部電源*1pcs,使用説明書*1pcs 技術パラメータ: モデル G.........
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30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術()そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン.........
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表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W 詳しい製品の説明 FETのタイプ: N-Channel 実用温度: -55°C | 175°C 湿気感受性のレベル(MSL):.........
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FDA59N30 Pnp力トランジスター59A 300V N-Channel 56のMOhmsの高い発電のトランジスター 記述...
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MRF173 Nチャネルの強化モードMOSFETs RF力トランジスター 周波数範囲200のMHzのまで広帯域商業および軍の適用のために設計されている。これらの装置の強力な、高利得広帯域性能はFMのための可能なソリッド ステート送信機を周波数帯域放送させますまたはテレビ チャネルの。.........
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高性能力トランジスターIRF540NPBFの記述:高度の電子工学のための優秀な設計 あなたの電子工学のプロジェクトのための高度力トランジスターを捜したら、IRF540NPBFよりそれ以上に見てはいけない。この高性能トランジスターは最適の効率および信頼性を保障する優秀な設計の例外的な結果を、提.........
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2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......
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耐久性シリコンカービッド半導体 高性能トランジスタ SiC MOS 多機能 製品説明: 抵抗が低いため,シリコンカービッドMOSFETはより高い周波数でより少ない電力損失で動作することができ,効率が向上します.これは,高出力が必要とするアプリケーションのための理想的な選択です電気自動車や工.........
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非常に低回帰電流を持つ信頼性の高い高電力半導体 製品説明: ハイパワー半導体 (HPC) は,高電力デバイス,高電力トランジスタ,および電源電子モジュールで,極低の逆回復電流と強い抗急増電流能力を備えています.これは中国の国家軍事基準に準拠していますソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバ.........
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フィールド効果トランジスタ AUIPS7145RTR 新品とオリジナルストック [私たちは誰ですか?] 1998年に設立され,深?? CM GROUP Electronic Technology Co., Ltd.is半導体と電子部品の販売とサービスに専念している専門電子マーケティング企業で,顧客.......
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HMC789ST89ETR RF力トランジスター 製品の説明: HMC789ST89ETR RF力トランジスターはアンプの塗布の使用のために適した高性能、高周波、強力なトランジスターである。HMC789ST89ETRはそれを線形および電力増幅器の塗布の使用にとって理想的にさせる低雑音提供する、.........
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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........
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高い発電MOSFET 2N7002TのN-Channelの強化モード電界効果トランジスタ60V、115mA、2Ω [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客の.........
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BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........
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