p mosfet 上側のスイッチ

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

多目的高功率モスフェット 硬式スイッチング レゾナントスイッチング PWM ステージ 特徴 • 速やかに 切り替える • 低 ON 抵抗 • 低ゲート 料金 • 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト 応用 スイッチモード電源 (SMPS) 切断のない電源 (UPS) パワーファ.........

製品説明: 高電圧MOSFET 高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETを組み込み,超高電圧評価と優れた熱消耗,低電圧抵抗とMOSFET技術を提供しています.このタイプのMOSFETはN型です.高電圧および/または超高電圧電源を必要とする様々な用途に適している. 高電圧MOSFETは高性能で........

12volt 300Amp高周波転換DC IGBTの電源の整流器 電源の単位（別名スイッチ整流器SMR）はMOSFETかIGBTによって高周波で作動します。転換の頻度は一般に50-100のkHzの範囲の内で管理されている、さざ波係数の≤ 1%との、高性能および小型化を達成するためです。 切換えの電源......

東芝力トランジスター モジュールのケイ素NPNのエピタキシアル タイプ （1つの4つのダーリントン力トランジスター） MP4104 高い発電の切換えの適用 ハンマー ドライブ、脈拍モーター ドライブおよび誘導負荷切換え •完全な鋳造物（SIP 10ピン）による小型パッケー.........

EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uHのゲート ドライブ変圧器 特徴: ●ACのための高速転換の変圧器はつないだMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路●低い漏出インダクタンス●クラスBの絶縁材システム●転換の頻度:100つのkHzから2つのMHz●実用温度:-40°.........

JY12M Nおよびインバーター塗布のための速い切り替え速度のP Chennel 30V MOSFET 概説 JY12MはタイプのNおよびPチャネルの論理の強化モード両方で設計されている力分野のトランジスターである。これらのトランジスターは優秀なパフォーマンス特性を可能にする高い細胞密度D.........

自動車用 IGBT モジュール GCMX080B120S1-E1 高速スイッチング パワー MOSFET モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99..........

電力用途のための高性能STB80PF55T4PチャネルMOSFET STMicroelectronics STB80PF55T4は,効率的なスイッチと高電流処理能力を必要とする電力アプリケーションのために設計された高性能PチャネルMOSFETである.断熱電圧55V,連続流出電流80AこのMOSFET......

2SK1423 K1423 TO3Pの超高度速度の切換えの適用低いオン州の抵抗NチャネルMOSFET 在庫の他の電子部品のリスト SP6887ER4-L/TR SIPEX/EXA FSB660A フェアチャイルド NLV25T-470J-PF TDK DS1337S+T ダラス MMSZ5248B......

一般説明: JY16Mは最新の トレンチ処理技術を活用して 高い細胞密度を達成し 繰り返しの高い雪崩評価でオン抵抗を減らす.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 600V/4A.........

レネサスHAT2029R-EL-E電子部品 HAT2029R-EL-E DC:22+ パッケージ:SOP-8 ブランド:RENESAS 半導体ソリューション-RENESAS RENESASは,マイクロコントローラー,マイクロプロセッ.........

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........

新しく、元のSMD MOSFETの電界効果トランジスタSOT-23 L2N7002LT1G プロダクト 記述: 1. PDの電力損失|300mW/0.3W記述及び適用|半導体技術的なデータ超高度の速度の転換の適用アナログ スイッチ塗布私達はプロダクトの材料が自由なハロゲンおよびRoHSの条.........

SSC9522Sは高い側面力MOSFETのための浮遊ドライブ回路で造った 1.General記述 SSC9522Sは半橋共鳴タイプ電源のためのコントローラーIC （SMZ方法組み込む）、高側のMOSFETドライブのための浮遊ドライブ回路をである。※ SMZ =ソフト転換された複数の共.........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

ISO9001.pdf IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用変換器と調節器のスイッチとして使用される結論は高電圧対応:Vds=100V低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m........

LNK364PN ICオフ・ライン スイッチ フライバック8DIP力の統合 プロダクト細部 エネルギー効率が良いLinkSwitch®-XT家族低い電力のオフ・ラインのスイッチャIC 記述LinkSwitch-XTincorporates 700ボルト力MOSFET、発振.........

AP62200TWU-7木びき台の切換え調整装置0.8V 1の出力2A SOT-23-6薄いTSOT-23-6記述AP62200/AP62201/AP62200Tは2Aの4.2Vへの18Vの広い入力電圧範囲が付いている同期木びき台のコンバーターである。装置は十分に90mΩ高側の力MOSFETおよび高......