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モスフェット npn

1 - 20 の結果 モスフェット npn から 21 製品

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G プロダクト 記述: 1.MOS (電界効果トランジスタ) /LP2301BLT1Gのダイオードおよび整流器 プロダクト承諾のwithRoHSの条件の2.the自由な材料およびハロゲ.........

Time : Mar,24,2026
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IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久.........

Time : Nov,28,2024
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BD135ケイ素NPN力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet この一連のプラスチックは、medium−powerのケイ素NPNのトランジスター補足か準補足回路を利用するオーディオ・アンプおよび運転者として使用のために設計されています。 特徴 •Pb−Freeのパッケー.........

Time : May,30,2024
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-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述.........

Time : May,30,2024
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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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CJ2310 S10 NPN PNPのトランジスターNチャネルMOSFETはMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込めます 記述 CJ2310は2.5V優秀なRDS ()、低のゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの......

Time : Nov,20,2020
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Time : Nov,19,2019
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PBSS5160TへのSOT23プラスチック パッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター 特徴•低いコレクター エミッターの飽和電圧VCEsat•高いコレクター流れの機能ICおよびICM•高性能は、熱生成を減らします•必要なプリント回路板区域を減らします•中......

Time : Nov,30,2024
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AO3400 SOT-23 mosfet力トランジスターNPN MOSFET A09T nチャネルのトランジスター 特徴: 型式番号:AO3400 タイプ:MOSFET パッケージのタイプ:表面の台紙 製品名:AO3400 他の名前:AO3400A 印が付いていること:A09T.........

Time : Mar,28,2026
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QYTへの歓迎! このプロダクトになされる中国があるJPは作った、中国は5つのタイプをコピーしたり、最もよい価格および適したプロダクトのための私達に連絡する プロダクト細部 包装 管 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ NPN 現在-コレクター((最高) IC) 1.........

Time : Dec,02,2024
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MJE15028G Chipscomponentの電子部品ICの破片 MJE15028Gの高い発電MOSFETの電子破片真新しい元のTO-220 (TO-220-3) 両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ(BJT) 8A 120V 50W NPN 部門.........

Time : Mar,26,2026
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TIP137 ロジック 新品 オリジナル 双極 NPN 100V 6A TO220 パワートランジスタ トライオード TIP137 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........

Time : Jun,06,2025
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MMDT4401 ダブルNPN小型信号表面マウントトランジスタ 特徴 1表面積の平面型構造 2低電力増幅とスイッチングに最適です 3超小面積のマウントパッケージ メカニカルデータ 1ケース:SOT-363 鋳造プラスチック 2ターミナル:MIL-STD-202,メ.........

Time : Nov,19,2024
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MJD41CT4G 100V 41A NPNダーリントンパワータブMOSFET 低Vce(sat) 高ゲイン 高速スイッチング 内蔵クランプダイオード TO-220パッケージ 簡単な取り付け用 andnbsp; 特徴 andbull;プラスチックスリーブでの表面実装アプリケーション.........

Time : Dec,26,2025
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ダイオードの三極管MOS/PNP/NPNのコンデンサーの抵抗器TrのためのShopifyのdropship TC1のトランジスター テスターのマルティメーターの表示TFT 製品の説明: これは費用efectiveおよび広く利用されたトランジスター探知器である。(NPNおよびPNPのト.........

Time : Oct,09,2025
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MOSFETは16のチャネルのトランジスター モジュールNPN/PNPがトランジスターの応答の速度によってが速いDC24Vを入れた4 6 8 12を出力した。切換えの問題がありし、4回を回す秒。オートメーション装置は1分の200以上のプロダクトを作り出さなければならない。この速度は達成されなければな......

Time : Sep,26,2019
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トランジスターMOSFETの運転者2 NPN (トーテム ポール) 50V NPN、45V NPN 100mA NPNの100mA NPNの表面の台紙SC-74...

Time : Sep,03,2023
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