mosfet gate driver circuit design

MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

ISO5852SDW IC電子部品 隔離されたIGBT MOSFETゲートドライバ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号ISO5852SDW製造されたものTI電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでい.........

ゲートの運転者A4989SLDTR-Tの電子部品ICは集積回路を欠く 製品の説明 部品番号# A4989SLDTR-TはAllegro技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。........

1 製品の説明 項目...

LF2136B 3-Phase半分橋ゲートの運転者の集積回路IC LF2136BTR （電子部品） 記述: LF2136BはN-channelを運転する高圧の、高速適用のために設計されている三相ゲートの運転者ICである半橋構成のMOSFETsそしてIGBTs。 高圧プロセスはLF2136Bの高.........

FAN73611MX ゲートドライバー 高速ゲートドライバー 製品属性 属性値 製造者: 一半 製品カテゴリー: ゲートドライバー RoHS について 詳細 製品: IGBT,MOSFETゲートドライバー タイプ: ハイサイド マウントスタイル: SMD/SMT.........

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

単一チャネルNSI6601MC-DSPRはゲートの運転者IC SOP8の集積回路の破片を隔離した NSI6601MC-DSPRの製品の説明 NSI6601MC-DSPRは多くの適用のIGBT、力MOSFETおよびSiC MOSFETを運転するために適した単一チャネルの分離のゲートの運転者である。別の......

TC4427EPAの低側のゲートの運転者IC非逆になる8-PDIP ICの電子部品 概説: TC4426/TC4427/TC4428はMOSFETの運転者のより早いTC426/TC427/TC428系列の改善された版です。TC4426/TC4427/TC4428装置はMOSFETのゲートを満たし、排......

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......

JY213L 90Vの3つの独立した高低の側面が付いている三相ゲートの運転者は出力チャネルを参照した 記述 JY213Lは力MOSFETのための高速3-phaseゲートの運転者であり、3つの独立した高低の側面が付いているIGBT装置は出力チャネルを参照した。保護シュートによる作り付.........

高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者の導入IX4424NTR IX4424Nの有効な、信頼できる二重MOSFET DRVR Bitmainの電源の取り替えを達成しなさい 高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者、完全なBitmain APW7のための取り替え、.........

製品範囲 ICが運転者をゲートで制御する力管理IC集積回路はIC IR IR2110PBFを欠く emiconductors 力管理IC ゲートの運転者 インフィニオン・テクノロジーズIR2110PBF ゲートの運転者Hi&Lw Sd Drvr HiVltすべてのピン1つの.........

N チャネルの パワートレンチ 電界効果トランジスタ FDS6676AS 統合されました 回路のコンピュータ・チップ板 30V N チャネルの パワートレンチ FDS6676AS の電子部品の原物の在庫 概説 FDS6676AS は同期のショットキー単一 SO-8.........

デジタル回路のための低ゲートスロージュ電圧MOSFET モスフェット切り替え 製品説明: 低電圧MOSFETは,電子回路のシステム効率を改善するために設計されています.その低Rds ((ON) 抵抗は,電源損失を減らすのに役立ちます.システム内で発生する熱を減らす電子回路の全体的なシステム効率.........

BGDR-01Cのゲートの運転者板3AUA0000074145は管理委員会のスペアーを 製品に関する情報の: BGDR-01C 3AUA0000074145 概説: 記事数:3AUA0000074145 カタログの記述: BGDR-01Cのゲートの運転者板 タイプ指定:BG.........

ISO5452QDWRQ1 記述: 隔離されたゲートの運転者2.5-A/5-A IsoIGBT MOSFETのゲートの運転者 製品特質 属性値 製造業者: テキサス・インスツルメント 製品カテゴリ: 隔離.........

MAX4820EUP+Tマキシム・インテグレーテッド・プロダクツのゲートの運転者はMAX4820/MAX4821 8チャンネルのリレー運転者作り付けの反動の保護を+3.3V/+5Vのnonlatchingか、または二重コイル掛け金を降ろすリレーを運転するために提供し。これらの装置は+3Vのリレーを運......

ABBは板AGBB-01C 68242835ゲートの運転者BRANC ACS800インバーター モジュールを誘発する 記述 プロダクトID: 68242843 カタログの記述: AGBB-01C;ゲートの運転者BRANC AGBB-01C プロダクト純重量: 0.15 kg 技術情報: ......