N チャネルの パワートレンチ 電界効果トランジスタ FDS6676AS 統合されました 回路のコンピュータ・チップ板
型式番号:FDS6676AS
原産地:マレーシア
最低順序量:5 袋
支払の言葉:T/T 前もってまたは他
供給の能力:1000pcs
包装の細部:細部については私に連絡して下さい
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Shenzhen Guangdong China
住所：
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
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N チャネルの パワートレンチ 電界効果トランジスタ FDS6676AS 統合されました 回路のコンピュータ・チップ板
30V N チャネルの パワートレンチ FDS6676AS の電子部品の原物の在庫
概説
FDS6676AS は同期のショットキー単一 SO-8 電界効果トランジスタ そしてダイオードを取り替えるように設計されています
DC: DC電源。 この 30V 電界効果トランジスタ は力の変換効率を最大にするように設計され低い RDS （）および低いゲート充満を提供します。 FDS6676AS はフェアチャイルドの単一 SyncFET の技術を使用してショットキー統合されたダイオードを含んでいます。
適用
• DC/DC のコンバーター
• 低い側面のノート
特徴
• 14.5 A の 30 V. RDS の（） max= 6.0 の mΩ @ VGS = 10 V RDS の（） max= 7.25 の mΩ @ VGS = 4.5 ボルト
• SyncFET ショットキー ボディ ダイオードを含んでいます
• 低いゲート充満（典型的な 45nC）
• 極端に低い RDS （）および速い切換えのための高性能の堀の技術
• 高い発電および現在の処理の機能
通知がなければ絶対最高評価 TA=25o C
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 30 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続的な下水管の流れ– （ノート 1a） –脈打つ | 14.5 | A |
| 50 | |||
| PD | 半二重操作（ノート 1a）のための電力損失 （ノート 1b） （ノート 1c） | 2.5 | W |
| 1.5 | |||
| 1 | |||
| TJ、TSTG | 操作および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55 から +150 | °C |
熱特徴
| θJA R の | 接続点に包囲された熱抵抗（ノート 1a） | 50 | With°C |
| θJC R の | 熱抵抗、接続点に場合（ノート 1） | 25 |
パッケージの印および発注情報
| 装置印が付いていること | 装置 | 巻き枠のサイズ | 幅を録音して下さい | 量 |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 単位 |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 単位 |
N チャネルの パワートレンチ 電界効果トランジスタ FDS6676AS 統合されました 回路のコンピュータ・チップ板
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