mosfet and igbt difference

自動車用 IGBT モジュール FS28MR12W1M1HB70 1200V クールシック MOSFET シックスパック IGBT モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ.........

JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uHのゲート ドライブ変圧器 特徴: ●ACのための高速転換の変圧器はつないだMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路●低い漏出インダクタンス●クラスBの絶縁材システム●転換の頻度:100つのkHzから2つのMHz●実用温度:-40°.........

IRG4BC30UDPBF IGBT パワーモジュール トランジスタ IGBT シングル IRG4BC30UDPBFの仕様 部品のステータス アクティブ IGBTの種類 - 電圧 - コレクタ エ.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 Wの表面の台紙TO-268HV （IXBT）IXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsIXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsはMOSFETsおよびIGBTsの強........

モーター運転者IGBTの論理SIM6822Mの高圧3Phaseエアコンのディッシュウォッシャー ポンプ 特徴 ▪作り付け前ドライブIC ▪MOSFETまたはIGBT力の要素 ▪内部抵抗器の調節によって騒音発生を軽減しなさい ▪CMOSの多用性がある入力（3.3ボルトおよび5 V） ▪ブー.........

1200V 75A PIM 電界効果トランジスタ 力モジュール IC 7MBR75UB120-50 IGBT モジュールの運転者 7MBR75UB120-50 IGBT モジュール（U シリーズ） 1200V/75A/PIM 特徴 。 低い VCE （坐.........

ブラシレスモーターとリチウム電池管理のためのSiCモスフェットを持つインバーターIGBT 特徴 • 陽性温度係数 • 速やかに 切り替える 低VCE (静止) • 信頼 さ れ て 頑丈 な もの トレンチとフィールドストップ技術 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • 高速切.........

KMP15H12X4-7M 厳しい環境と高温のための頑丈なIGBTモジュール 製品説明: IGBTモジュールは,隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) ユニットファミリーに属する最先端の電子部品です.隔離ゲート双極トランジスタモジュールまたは隔離ゲートトランジスタパックとしても知られています.........

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

STK681-310 Onsemiモーター運転者力MOSFET IGBT ICの電子部品 - モーター運転者力MOSFET、平行IGBT - ICの指定:部門集積回路（IC）　PMIC -モーター運転者、コントローラーMfronsemi部品番号STK681-310パッケージ管部分の状態時代遅れ段階モ......

癒やす堅くなることのための高周波IGBTの誘導加熱機械 1. 誘導加熱機械のプロダクト利点: 高周波誘導加熱装置は熱処理および、癒やすことのために特に適しています放出、ろう付けする溶接、熱鍛造材による金属アニールする、溶けること。 1）。Adoping MOSFETおよびIGBT、頻度.........

12volt 300Amp高周波転換DC IGBTの電源の整流器 電源の単位（別名スイッチ整流器SMR）はMOSFETかIGBTによって高周波で作動します。転換の頻度は一般に50-100のkHzの範囲の内で管理されている、さざ波係数の≤ 1%との、高性能および小型化を達成するためです。 切換えの電源......

東芝IGBT力モジュールMG25Q6ES51 MG25Q6ES51 製品の説明 ブランド:東芝 モデル:MG25Q6ES51 部門:絶縁されたゲート（MOSFET） チャネル タイプ:Nチャネル 伝導:高められる 使用:Aは/広く拡大にバンドを付けます パッケージの輪郭.........

IKW25N120T2FKSA1 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。ありがとう! プロダクト変数 部門 分離した半導体製品.........

ZFeng IGBT モジュール IGBTモジュール (隔離ゲート双極トランジスタモジュール)複数のIGBTチップ,フリーホイリングダイオード (FWD) および関連する駆動/保護回路を統合した電源半導体装置モジュールである.電力電子の変換と制御システムに広く適用されています. 1主要な構成.........

部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 MOSFET （金属酸化物） 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） 500V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 48A （Tc） 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） 10V Vgs （（最高） Th） @ ID 4V @ ......

工場 高電圧 シリコン 熱保温シート 材料 MOSFETs & IGBTs の熱保温パッド TISTM100-02熱伝導性のある高効率の保温製品です熱伝導物質にシリカゲルによって作られた保温基膜の追加は,保温と熱伝導の両方に大きな効果を生み出します. TIS100-01-シリーズデー.........