スイッチとして mos トランジスタ

Nチャネル力Mosfetのトランジスター、2SK3561 MOSの電界効果トランジスタ 東芝の電界効果トランジスタのケイ素NチャネルMOSのタイプ（π-MOSVI）2SK3561 切換え調整装置の塗布 •抵抗の低い下水管源:RDS （） = 0.75Ω （typ。）•高い前方移動アドミタンス:|........

TK13A60D （STA4、Q、M）東芝の電界効果トランジスタ13A 600V 0.33オームのN-Channel MOS 東芝の電界効果トランジスタのケイ素NチャネルMOSのタイプ 適用 転換の電圧安定器 記述 東芝π MOSのVII MOSFETsは10Vゲート ドライブ、π MOS.........

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8 製品の説明: 1.プロダクト モデル:FDS6699S 2.記述: MOSFET 3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V 4.極端.........

SVF840F SILAN 8A 500V高圧MOSの管 記述: SVF840F/D/S/MJのN-channelの強化モード高圧力MOSの電界効果トランジスタそれはSilanのマイクロエレクトロニクスのF細胞TM平面の高圧VDMOSの加工技術を使用して製造される。高度技術およ.........

トランジスターTO-247-3 TW015N120CのS1FのN-Channelの単一のFETsのMOSFETsのトランジスター1200V TW015N120C、S1Fの製品の説明 TW015N120C、S1Fは転換の電圧安定器の使用のために適した炭化ケイ素のN-Channel MOSのト.........

IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管 特徴•非常に低いFOM RDSの（） *QgおよびRDSの（） *Eossによる極端に低い損失•優秀な熱行動•統合されたESDの保護ダイオード•低い切換えの損失（Eoss）•プロダク.........

製品範囲 単一電界効果トランジスタAo3401a力MosfetのP-Channel 30v 4a Sot23のFets AO3401Aは優秀なRDS （）、2.5V低い低いゲート充満および操作のゲートの電圧を提供するのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチか他の一般的な適用として使用........

製品説明: 高圧MOSFETを紹介します MOS-Gateトランジスタは 超高圧アプリケーションのために特別に設計されています産業用切換電源この装置は,低電圧の電源システムおよび電源システムアプリケーションに適しています.低流出量は1μA未満に達し,低電源抵抗を持つN型です.このデバイスは,あら........

Size Silicon Transistor D2PAK Electric赤ん坊の印王のタバコ機械部品 トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための.........

製品詳細 記述L4973は,ステップダウンモノリティック電源スイッチレギュレーターで,固定電圧3.3Vまたは5.1Vで3.5Aを供給し,シンプルな外部ディバイダー出力 50Vまでの調節電圧を使用します.BCD混合技術で実現デバイスは,内部電源D-MOSトランジスタ (典型的RDS.........

3.5インチTnレジスティブLCDディスプレイ 320×480解像度兼容 Mcu Spi Rgb マルチインターフェイス チェンハオディスプレイモデルCH350HV15A-Tは,カラーアクティブマトリックス薄膜トランジスタ (TFT) 変形シリコンTFTをスイッチ装置として使用する液晶ディスプ.........