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low power mosfet switch

1 - 20 の結果 low power mosfet switch から 3278 製品

2SB1316TL力トランジスター低い電力mosfetの切換え力mosfet] 特徴 1) 高いDCの現在の利益のためのダーリントンの関係。 2) 基盤とエミッター間の作り付けの抵抗器。 3) 作り付けのダンパーのダイオード。 4) 2SD2195/2SD1980を補足します。 .........

Time : May,30,2024
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TO-220C 低電力モスフェット 電子機器 システム効率の向上 製品説明: 低電圧MOSFETは 低電圧抵抗を誇っています これは電力損失を最小限に抑え システムの効率を向上させるのに不可欠ですこの製品は,最小限の電力消耗で高電流に対応できます.電力管理,モーター制御,その他の高電力用途.........

Time : Mar,31,2025
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高周波スイッチ トレンチ 低電圧 MOSFET と 信頼性の高い構造プロセス SGT/トレンチ 製品説明: 低電圧MOSFET 低電圧MOSFETは,低電力損失アプリケーションのための突破的なFOM最適化を提供する先進的な半導体デバイスです. それはモータードライバー,5Gベースステーション,エ........

Time : Dec,26,2024
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2SK3878 K3878 TO3P Nチャネル力MOSFETの切換え調整装置IC 在庫の他の電子部品のリスト CKCA43JB1H103MT010N TDK LD1117AG-1.5V-A UTC M74HCT574B1R STM LC99808WE 鳥取三洋電機 LM3532TMX-40A......

Time : Nov,03,2023
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自動車用IGBTモジュール PSS20S71F6 低電源ダブルスイッチ IGBT電源モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [会社の.........

Time : Jan,04,2025
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IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

Time : Nov,28,2024
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JUYI Nチャネル増強モード パワー MOSFET 70V/90A,低抵抗,高速スイッチ,幅広いアプリケーション 一般的な説明 JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減しますこの設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーショ.........

Time : Jul,03,2025
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HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS ()、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS (MAX)の評価。この装置は単方向.........

Time : May,30,2024
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

Time : Apr,21,2025
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製品範囲 単一電界効果トランジスタAo3401a力MosfetのP-Channel 30v 4a Sot23のFets AO3401Aは優秀なRDS ()、2.5V低い低いゲート充満および操作のゲートの電圧を提供するのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチか他の一般的な適用として使用........

Time : Nov,26,2024
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SOT89-3 HT7550-1 100mA 低電源LDO 特徴 ● 低電力消費 ● 低電圧 低下 ● 低温系数 ● 高出力 (最大24V) ● 関連 製品 モデル:HT7536-1,HT7550-1,HT7536-1,HT7533-1,HT7530-1... ●高出力電流: 100mA (.........

Time : Dec,05,2024
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IRLR3915TRPBF Infineon Technologies / International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30ADPAKディスクリート半導体製品 Nチャンネル55V 30A(Tc)120W(Tc)表面.........

Time : Jun,21,2025
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製品概要 1×1,1×2 設定可能なOADMのための高電力光学スイッチ 1×1,1×2 高電力光ファイバースイッチ GEZHI Photonics ハイパワー 1×1, 1×2 ファイバー光学スイッチは,受信光学信号を選択した出力ファイバーにリダイレクトすることによって光学チャネルを接続す.........

Time : Apr,08,2025
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商業使用法、低い電力のためのカスタマイズされた蝕知のバックライトを当てられた膜スイッチ 速い細部: 名前 EL MS 注文の処理 はい......

Time : Dec,09,2024
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G33調節可能な低電圧のフォトセル スイッチ拡散造られた内部力のタイプ指定の赤外線光線光電スイッチG33 1.セリウムの承認2.の検出のdisance:10cm、1mの3mの3.電圧:10-30VDC、90-250VACに3つのタイプがある:1.拡散タイプ2。Retroreflictiveのタイプ3......

Time : Apr,26,2023
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IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET TO-220ABパッケージ 特徴: 広いSOA用の平面細胞構造 配送パートナーから最も広く利用できるように最適化 JEDEC 規格による製品資格 シリコンは100kHz未満のスイッチングアプリケーションに最適化さ.........

Time : Dec,04,2024
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マスターパワーウィンドウスイッチ MAN OEM 81258067107 81258067092 100021639 81258067080 詳細は 1.モデル:TGL TGM TGS TGX 2.年 月 日 2004年から2021年まで 3.自動車装具:男性 4.OE番号: 812580671........

Time : Feb,26,2025
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15V IGBTの100つのampのDC電源切換え 15Vは電気めっきにIGBTの100つのampのDC電源切換え使用される。 指定 GKDのための指定(M) (H) 15-100CVC 入れられたAC 220V±10% 1phase 50/60Hz 出力DC ボルト 調節可能な0~15V 現在 調......

Time : Aug,27,2023
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製品の説明: 自己動力を与えられた無線スイッチは非常に能率的であり、簡単のを4つの制御機能に与える信頼できるスイッチは、設計を容易に取付ける。それは2.4 GHzの無線議定書を作動させ、Wi-Fiネットワークと互換性があり、リモート・コントロールを世界中どこからでも可能にする。、-20℃から.........

Time : Dec,01,2024
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企業ネットワークのための高性能とAI搭載の Huawei スイッチ ハワイのスイッチは 超高速で 信頼性があり 現代の企業に インテリジェントな ネットワークを提供します 最先端のハードウェアと AI 駆動の自動化を組み合わせて 性能,セキュリティ,そして拡張性高速で低遅延で 高速で高速で高速で高速......

Time : May,20,2025
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