low gate threshold voltage mosfet

高耐久性 シリコン 低ゲート 限界電圧 モスフェット TO-251 製品説明: MOSFETは高品質のシリコン材料で 耐久性と信頼性を保証しています また 鉛のない状態で 環境保護のための RoHS 基準を満たしていますMOSFETは,TO-251という3つの異なるパッケージで利用可能であ.........

トレンチ/SGT構造プロセスにおけるDC/DC変換器の高いEAS能力を持つ低しきい電圧MOSFET 製品説明: 低電圧 MOSFET - 電力 需要 に 対する 理想 的 な 解決策! 低電圧と低抵抗 (Rds(ON) を備えた低電圧モスフェット (Low Voltage MOSFET) より,........

IXTQ130N10T MOSFETの高い発電 最適化されたパフォーマンスのための抵抗そして低いゲートの境界の電圧で低い 製品の機能: - N-Channel MOSFET - 電圧:100V - RDS （）:0.01オーム - ID:130A - パッケ.........

Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V （D-S） MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......

20V N+Nチャネルの強化モードMOSFET 記述 8H02ETSuses高度の堀の技術への 優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供して下さい 2.5V低いゲートの電圧の操作。 概要の特徴 VDS = 20V、ID = 7A 8H02TS RDS （）.........

20V N+Nチャネルの強化モードMOSFET 記述 8H02ETSusesは堀の技術をに進めた 優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供しなさい 2.5V低いゲートの電圧の操作。 概要の特徴 VDS = 20V、ID = 7A 8H02TS RDS （）.........

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N-channel 800 Vの0.19 Ωのタイプ。、D2PAK、TO-220FP、TO-220の19.5のMDmesh™ K5力のMOSFETs そしてTO-247パッケージ 適用 •転換の適用 記述 これらの非常に高圧N-channel力のMOSFETsはMDmesh™ K5の技術.........

AOD417 D417 Pチャネル30V 25A 2.5W 50Wの表面の台紙TO-252 概説 AOD417は高度の堀の技術のtoprovide優秀なRDS （）、低いゲート充満および低いゲートの抵抗を使用します。優秀な熱resistanceofによってDPAKのパッケージは、この装置うってつけ......

FDPF045N10A Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-ChannelのPowerTrench MOSFET 特徴 RDS （） =3.7mΩ （タイプ。） @VGS =10V、ID =67A 速い切り替え速度 低いゲート充満、Q.........

低電圧電界効果トランジスタ電源モジュールSMDホールのバージョンスルーPKF4510PI 3-7 W DC / DCパワーモジュール48 V入力シリーズ •SMDおよびスルーホールバージョンと 超低部品の高さ8.0ミリメートル（0.315で） •83％の効率（5Vで標準） •1.........

高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者の導入IX4424NTR IX4424Nの有効な、信頼できる二重MOSFET DRVR Bitmainの電源の取り替えを達成しなさい 高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者、完全なBitmain APW7のための取り替え、.........

集積回路の破片NTMFS4C024NT1GのN-Channelのトランジスター30V 5-DFNパッケージ 特徴 伝導の損失を最小にする低いRDS （） 運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス 転換の損失を最小にする最大限に活用されたゲート充満 これらの装置はPb−Freeの.........

DMN5L06DWK7 MOSFET二重Nチャネル2チャネル小さい信号のkdkのsmdのトランジスターはトランジスター モード浮上する 特徴 の二重N-Channel MOSFET の低いオン抵抗（最高1.0V） のまさに低いゲートの境界の電圧 の低い入れられた.........

IRFB7545PBF Infineon TRANS MOSFET N-CH 60V 95A 3 Pin （3+Tab） TO-220ABの管プロダクト技術仕様 EU RoHS 免除と迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状......

FDC608PZ MOSFET -20V Pチャネル 2.5V パワートランチ MOSFET 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOT-6 トラン.........

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

製品名: FQA11N90F109速い細部: FQA11N90F109は11Aの最高の下水管の流れおよび0.109オームの低いオン州の抵抗の900V N-channel MOSFETである。指定: 最高の電圧評価:900V 最高の下水管の流れ:11A オン州の抵抗:0.........