ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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NTMFS4C024NT1Gの集積回路の破片2.8mOhmの低い電力NチャネルMosfet

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NTMFS4C024NT1Gの集積回路の破片2.8mOhmの低い電力NチャネルMosfet

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型式番号 :NTMFS4C024NT1G
原産地 :CN
最小注文数量 :10
支払い条件 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
納期 :5-8の仕事日
包装の細部 :8-PowerTDFN
部品番号 :NTMFS4C024NT1G
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) :30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) :4.5V、10V
Vgs (最大) :±20V
動作温度 :-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ :表面実装
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集積回路の破片NTMFS4C024NT1GのN-Channelのトランジスター30V 5-DFNパッケージ

 

特徴

  • 伝導の損失を最小にする低いRDS ()
  • 運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス
  • 転換の損失を最小にする最大限に活用されたゲート充満
  • これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

 

製品特質

プロダクト状態

活動的

FETのタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (金属酸化物)

流出させなさいに源の電圧(Vdss)

30ボルト

現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C

21.7A (Ta)、78A (Tc)

ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)

4.5V、10V

(最高) @ ID、VgsのRds

2.8mOhm @ 30A、10V

Vgs ((最高) Th) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs

30 NC @ 10ボルト

Vgs (最高)

±20V

入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds

1972 pF @ 15ボルト

電力損失(最高)

2.57W (Ta)、33W (Tc)

実用温度

-55°C | 150°C (TJ)

タイプの取付け

表面の台紙

製造者装置パッケージ

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

パッケージ/場合

8-PowerTDFNの5つの鉛

基礎プロダクト数

NTMFS4

 

適用

  • CPU力配達
  • DC−DCのコンバーター

 

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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