igbt 飽和電圧

サーボドライブ 高電力 IGBT 低コレクター 飽和電圧を発信 製品説明: このIGBT製品は家電,モーター駆動,ファン,ポンプ,掃除機,一般的なインバーター PFCアプリケーション,不中断電源,太陽光インバーター共鳴変換器,UPSは携帯電源発電所のエネルギー貯蔵を向上させるソーラーストリングイ........

2MBI100N-060 IGBT力モジュールの2パックIGBT 600V 100A IGBTモジュール（Nシリーズ） n nの特徴 •正方形RBSOA •低い飽和電圧 •より少ない全体の電力損失 •改善されたFWDの特徴 •最小にされた内部外部インダクタンス •過電流制限機能（ ~3回は流れを評価......

2MBI75N-060 IGBT力のダイオード モジュール600V 75A IGBTモジュール（Nシリーズ） nの特徴 •正方形RBSOA •低い飽和電圧 •より少ない全体の電力損失 •改善されたFWDの特徴 •最小にされた内部外部インダクタンス •過電流制限機能（~3回は流れを評価しました） n適......

2SB1151-Y低コレクタ飽和電圧大電流高出力MOSFETトランジスタ " 特徴 *高出力損失：PD = 1.5W（Ta = 25℃）* 2SD1691と相補的です。 "絶対最大定格（Ta = 25） パラメータ シンボル 評価 単位 コレクタ.........

2SB1151-Y低いコレクターの飽和電圧の大きい現在の高い発電mosfetのトランジスター „の特徴 *Highの電力損失:2SD1691に*Complementary PD=1.5W （Ta=25℃）。 „の絶対最高評価（Ta=2.........

製品説明: ハイパワーIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は,高電流密度,高速スイッチ速度,高電源容量を持つ高電源ゲートバイポラールトランジスタである.60KHzまで高周波のアプリケーションをサポートするように設計されています高電力IGBTは,高速ス........

二重電圧はDCのアルゴン アークIGBTティグ溶接機械TIG315MAを入れた 特徴: IGBTの単一管インバーター技術を使用して1、; 2の広電圧設計;入力volatgeは160v-560vである 3の完全な橋構造、良い業績; 4の高周波アークの溶接の安定したアーク; 変数.........

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772トランジスター（NPN）を 特徴 低速切換え 記号 変数 価値 単位 VCBO コレクター基盤の電圧 -.........

MMBD1503A jcet SOT 23 MMBD1503A jcet SOT 23* パッケージ: SOT23* 検出距離: 100mm* 検出対象: 不透明 半透明な素材* 光源:赤外線LED (850nm)* 応答時間: 最大1ms 太陽光:最大 11,000lx,電球:最大 3,000........

IRGP 4660 D-EPBF IGBT力モジュール-高性能強く、信頼できる力の解決 IRGP4660D-EPBF IGBT力モジュール 製品の機能: - NPT IGBTの技術 - 低いインダクタンス パッケージ - 低い飽和電圧 - 高速切換え - 高い発電の循環の.........

CM450DY-24S 205G トップライン 42 IGBT モジュール IGBT モジュール-シリーズ DUAL 製造者: 三?? 電機 製品カテゴリー: IGBT モジュール RoHS について 詳細 製品: IGBT シリコンモジュール 構成: 双子 コレクター.........

CM600DX-24T 三?? 電動 IGBT モジュール IGBT モジュール T シリーズ NX TYPE DUAL メーカー: 三?? 電機製品カテゴリ:IGBTモジュール製品:IGBTシリコンモジュール配置: 双重総電源電源の最大電圧 VCEO: 1.2 kVコレクター・エミッタ.........

FF300R12KE4高い発電のIgbtモジュールN-CH 1200V 460A IGBTインバーターIGBTモジュール 適用 運動制御およびドライブ 無停電電源装置（UPS） 指定 製品特質 属性値 製造業者: Infineon.........

BSM150GB120DN2 自動車用IGBTモジュール 1200V 150A 半橋型IGBT電源モジュール BSM150GB120DN2の製品説明 BSM150GB120DN2は1200V,210A ハーフブリッジIGBTモジュール,シャシーマウントモジュール. BSM150GB120DN2.........

IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 Wの表面の台紙TO-268HV （IXBT）IXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsIXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsはMOSFETsおよびIGBTsの強........

G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........

強力な電子工学のためのIXGH48N60C3D1に投資しなさいIXGH48N60C3D1の賛否両論 あなたの電子工学のプロジェクトの強力なトランジスターのための市場にあるか。IXGH48N60C3D1よりそれ以上に見てはいけない。この信頼できるNPT IGBTのトランジスターは複数の利点を、.........

AUIRG4PH50S Infineon IGBTのトランジスター1200V DC-1 KHZ （STD）分離した自動IGBT 1.FEATURES 標準:最低の飽和のために最大限に活用される電圧および低い動作周波数（< 1kHz=""> •世代別4 IGBT設計はより堅い提供する変数配分.........

プロダクト細部 製品に関する情報 トランジスター極性: Nチャネル DCのコレクター流れ: 520A コレクターのエミッターの飽和電圧Vce （）:1.2kV コレクターのエミッターの電圧V （Br） ceo:1.2kV トランジスター箱様式:SEMITRANS 3.........