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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

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China AUIRG4PH50S Infineon IGBTのトランジスター1200V DC-1 KHZ （STD）分離した自動IGBT wholesale

AUIRG4PH50S Infineon IGBTのトランジスター1200V DC-1 KHZ （STD）分離した自動IGBT

最新の価格を尋ねる

型式番号 :AUIRG4PH50S

原産地 :台湾

最低順序量 :10pcs

支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン

供給の能力 :10000pcs/week

受渡し時間 :2-3days

包装の細部 :400PCS/BOX管

製品カテゴリ :IGBTのトランジスター

技術 :Si

様式の取付け :穴を通して

構成 :単一

最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :1.2kV

Collector-Emitterの飽和電圧 :1.47 V

最高のゲートのエミッターの電圧 :- 20ボルト、+ 20ボルト

25 Cの連続的なコレクター流れ :141 A

Pd -電力損失 :543 W

最低の実用温度 :- 55℃

最高使用可能温度 :+ 150 C

高さ :20.7 mm

長さ :15.87 mm

幅 :5.31 mm

工場包装の量 :400pcs/box

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AUIRG4PH50S Infineon IGBTのトランジスター1200V DC-1 KHZ （STD）分離した自動IGBT

1.FEATURES

標準:最低の飽和のために最大限に活用される
電圧および低い動作周波数（< 1kHz=""> •世代別4 IGBT設計はより堅い提供する
変数配分および高性能
•業界標準TO-247ACのパッケージ
•無鉛
•修飾される自動車*

2.BENEFITS

利用できる世代別4 IGBT提供の高性能

指定適用状態のために最大限に活用されるIGBT

商品のタグ：

transistor igbt

igbt semiconductor

igbt transistor

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