中国のカテゴリー
日本語
ホーム /

igbtゲートドライバー ic

1 - 20 の結果 igbtゲートドライバー ic から 453 製品

3.3V 4A IGBT MOSFETのゲートの運転者IC NCV57001FDWR2Gの巻き枠の包装 NCV57001FDWR2G [隔離された高い流れおよび高いE]ゲート ドライブIC SOIC-16 製造業者: onsemi 製品カ.........

Time : Nov,25,2024
企業との接触

Add to Cart

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICの破片半橋ゲートの運転者IC 14-DIP 記述 IR2110/IR2113は高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を.........

Time : Dec,01,2024
企業との接触

Add to Cart

3相高電圧ゲートドライバーIC 3.3V,5V,15V入力ロジック 互換性 内蔵デッドタイム (⇒ JY213Hの詳細情報を得たい場合は,Pls私達に連絡してください!!!!) 記述 JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電.........

Time : Apr,21,2025
企業との接触

Add to Cart

ゲートの運転者IC NCD57530DWKR2G 16-SOICはデュアル・チャネルIGBT 5000Vrms ICの破片を隔離した NCD57530DWKR2Gの製品の説明 NCD57530DWKR2Gは入力からの各出力へ5つのkVrmsの内部ガルバニック分離および2つの出力チャネル間の.........

Time : Apr,21,2025
企業との接触

Add to Cart

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

Time : Jun,12,2024
企業との接触

Add to Cart

IR2156STRPBFの半導体の破片ICの高周波運転者およびMOSFETs 製品名:IR2156STRPBFの半導体ICの破片 製品の説明: IR2156STRPBFは高性能、半橋構成の1 N-channel MOSFETかIGBTを運転するように設計されている自己振動のゲートの.........

Time : Nov,30,2024
企業との接触

Add to Cart

IR2110半橋ゲートの運転者IC非逆になる14-DIPを示すIR2110PBF 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 独立した 運転者の数 2 ゲートのタイプ IGBT、NチャネルMOSFET 電圧-供給 3.3V | 20V 論理の電圧- VIL、VIH 6V、9.5V 現在-ピーク出力(源、......

Time : Nov,03,2023
企業との接触

Add to Cart

JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

Time : Mar,18,2025
企業との接触

Add to Cart

IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......

Time : Jan,07,2025
企業との接触

Add to Cart

...

Time : Apr,17,2025
企業との接触

Add to Cart

プロダクト細部 部門集積回路(IC)PMIC -ゲートの運転者製造業者インフィニオン・テクノロジーズ包装 テープ及び巻き枠(TR)部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理......

Time : Dec,02,2024
企業との接触

Add to Cart

UCC27524DSDRのゲートの運転者の電子部品ICは破片を統合した 製品の説明部品番号UCC27524DSDRはテキサス・インスツルメントの会社によって製造され、賛成配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。 STM3.......

Time : Nov,28,2024
企業との接触

Add to Cart

UCC27712DR 統合回路の電力管理のための半橋ゲートドライバーIC 8-SOIC 製品説明 わたしたち の 利点 主な製品 5GIoTについて モジュール......

Time : Dec,06,2024
企業との接触

Add to Cart

MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

Time : Dec,01,2024
企業との接触

Add to Cart

IS200DAMBG1A GE IGBTゲートドライバーアンプパシーブインターフェースボード 商品の詳細: ブランド名 遺伝子組み換え モデル IS200DAMBG1A 条件 新しい 総重量/輸送重量 2.2ポンド / 35.2オンス / 1kg パッケージのサイズ.........

Time : May,06,2025
企業との接触

Add to Cart

UCC27524ADR MOSFET ゲート ドア ドライバ BSZ100N03MSGATMA1 LT8607EDC#TRMPBF PMIC 電源管理 IC 1 特徴 • 業界標準のピン配列 • 業界標準のピン配列 • 5A のピーク ソースおよびシンク駆動電流 • 各出力.........

Time : Dec,09,2024
企業との接触

Add to Cart

製品の説明 200W IGBTモジュールの運転者回路I2C TLA2022IRUGRテキサス・インスツルメントの新しい到着 IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TLA2022IRUGR 決断.........

Time : Dec,09,2024
企業との接触

Add to Cart

1.Abstract SCALE™-2+の二重運転者の中心2SC0435T2G1-17 (2mmのPCBの厚さのために適した3.1mmのコネクタ ピンの長さ;高められたEMIの機能;無鉛)/2SC0435T2G1C-17 (Lackwerke PetersからのELPEGUARD SL 13.........

Time : Dec,09,2024
企業との接触

Add to Cart

ゲートの運転者A4989SLDTR-Tの電子部品ICは集積回路を欠く 製品の説明 部品番号# A4989SLDTR-TはAllegro技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。........

Time : May,31,2024
企業との接触

Add to Cart

DRV8106-Q1ワイドコモンモードインライン電流検出アンプICを備えた自動車用ハーフブリッジスマートゲートドライバ 説明: DRV8106-Q1は、高度に統合されたハーフブリッジゲートドライバであり、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動できます。ハイ.........

Time : Feb,03,2025
企業との接触

Add to Cart

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 23
End
Go to Page
お問い合わせカート 0
サプライヤ
提出する要件