hf パワートランジスタ

AOD42420V NチャネルMOSFET 概説 AOD424コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。この装置は負荷スイッチにとって理想的ですそして電池の保護適用。 変数 部.........

RD100HHF1 MOSFETのタイプ トランジスターはHFの高い発電のアンプの塗布のためにとりわけ設計しました 特徴 •高い発電および高利得:Pout>100W、Gp>11.5dB @Vdd=12.5V、f=30MHz •高性能:60%typ.on HFバンド 適用 HFバンド移動式無線送受信機......

SI4703-C19-GMR RF力トランジスター 製品の説明: SI4703-C19-GMRはBiCMOS高圧プロセスを使用して設計されている高度RF力トランジスターである。この装置はHFおよびVHFバンドの強力な、高性能の、低雑音の適用のために適している。それは広.........

40 KHz PSat 48 dBm HF パワー増幅器 RF線形増幅器 ラダースਿਸਟਮ,衛星通信用 Dエスクリプション 40 KHz PSat 48 dBm RF パワーアンプは,周波数帯40 kilohertz (KHz) 内の無線周波数 (RF) 信号を増幅するために設計された特殊装置で........

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

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IGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W UFDシリーズ ゲートの両極トランジスター 記述 フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター（IGBTs）は低い伝導を提供する 転換の損失。UFDシリーズは運動制御および大将のよう.........

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高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

完全に密閉した3相 2500kVA 3150kVA 製品仕様 属性 価値 頻度 50Hz,60Hz 段階 3つ目 コイル番号 3回巻き,2回巻き 多回巻き 適用する 電源トランスフォーマー コイル構造 完全に密封された構造,丸いコイル 出力電圧 415V, 110V,.........

EE42 電源の切り替えるための水平HF電源トランスフォーマーフェライト 1製品説明 EE42 HF パワー トランスフォーマー電気エネルギー変換装置の電磁気誘導原理の使用異なる電子機器の作業要件を満たすために交流電流の電圧と電流を変更する. 2申請 1通信機器 2コンピュ.........

MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 （NPN） MJD117 （PNP） 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........

MJE182 パワートランジスタ バイポーラ (BJT) シングルトランジスタ NPN 80V TO-225 MJE182G バイポーラ (BJT) シングルトランジスタ NPN 80V 3A 1.5W TO-225 スルーホール &nbs.........

100KHz EE16 HFの変圧器30µHは特色になる:1.良質および競争価格2.のよい売り上げ後のサービス3.の適した転換の電源/電源変圧器LEDの運転者の変圧器/変流器/配分の変圧器1.のデッサン（単位の広い範囲のための短い受渡し時間5.と自由な高温抵抗力がある4.の供給のサンプル:mmの） ......

2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......