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ワイヤレス通信モジュール QPD0007 単経路 5GHz 20W 48V GaN RFトランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [.........

QPD1016 RF JFET トランジスタ DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr 製造者: コルボ 製品カテゴリー: RF JFETトランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタタイプ: HEMT テクノロジー GaN SiC.........

INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Autel Anti Fpv C-Uas マビック 3 5.8GHz 100W GaN アンチモジュール キーワード 産地 広東,中国 ブランド名 LDSK 産地 広東,中国 製品名 RF パワーアンプモジュール (GaN) 頻度 5725-5850MHz 5.8G.........

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AD9361BBCZ RF力トランジスター-高い発電の高い信頼性 AD9361BBCZは900のMHzの主義バンドの使用のために設計されている強力な、高性能のN-channel RF力トランジスターである。装置は広いゲートの電圧範囲および優秀な熱安定性を特色にする。それはRFの電力増幅器、細.........

部分番号:BFP420H6327XTSA1 製品概要:についてBFP420H6327XTSA1高性能なNPN RFトランジスタこのコンポーネントは,低騒音値,高増幅,コンパクトパッケージでの高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています. 主要な特徴: タイプ: NPN RFトラ.........

FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......

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CGH40045FのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路CGH40045F 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター 特徴 •小さいフィードバック キャパシタンス •低雑音図 •高い転移の頻度 •鉛（Pb）のなしの部品 •RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品.........

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TXtelsig YP242434 Wifi RFのアンプ2.4GHz 802.11b/g/n WLANの電力増幅器 YP242434はInGaP信頼性が高い/GaAs HBTの技術に基づく強力な、高直線性の電力増幅器である。それは極度のパワー加えられた効率と強力な、高直線性の適用のために2.4........

製品カテゴリ: 整流器 様式の取付け: 穴を通して パッケージ/場合: TO-220-3 Vr -逆電圧: 400ボルト -前方流れ: 6 A タイプ: 速......

記述 50W 1550-1620MHz GAN アンチ ドローン RF モジュールを導入 空域を保護するのは 楽ではありません 50W 5.8G 5725-5850MHzの GAN 防空機RFモジュールでこの装置は,ドローンセキュリティに関心のある人にとって必須です.. 強化 さ れ た 保護 に.......

10*10mm2はGaNのトランジスターのためのGaN/サファイアの基質をSi添加しました PAM-XIAMENの型板プロダクトはガリウム窒化物（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム ガリウム窒化物（AlGaN）およびサファイアの基質で沈殿するインジウム ガリウム窒化物（InG.........

8インチ 12インチ 6インチ GAN-ON-SI EPI-WAFERS POWER RF マイクロLEDアプリケーションのために 8インチ 100mm 150mm 200mm 300mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS 電源適用のために GaNエピタキシアルウエファー (GaNEPI........