4inch 6inch GaN SiC EPIの層のウエファーGaN Si EPIの層のウエファー 約GaN SIC特徴GaN GaNで導入しなさい GaNのエピタキシアル ウエファー:異なった基質に従って、それは4つのタイプに主に分けられる:GaN Si、GaN SiC.........
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2インチガナシ基板テンプレート,LED用のガナシ基板,LD用の半導体ガリウムナイトリド用のガナシ基板,mcvdガナシ基板,自由立体ガナシ基板,カスタマイズされたサイズ,LED用の小型ガナシ基板,mocvd ガリウムナイトリドウーフ 10x10mm,5x5mm,10x5mmのガナウエフ,非極性フリー.......
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ワイヤレス通信モジュール QPA2511 100 ワット 50 ボルト GaN On SiC パワーアンプ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!!.........
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QPA2933 RFのアンプ2.9-3.3GHz 60W GaN PA OVMQorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器 Qorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器は2.9GHzへの3.3GHzのために62%パワー加えられた効率を達成している間最大限に活用さ.........
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高純度 緑色/黒色 シリコン・カービッド粉末/パウダー Sic 16#~2000# 記述: シリコンカービッドは,炭素とシリコンから成る化合物半導体材料である.シリコンカービッド (SiC),ガリウムナイトリド (GaN),アルミナイトリド (ALN),ガリウム酸化物 (Ga2O3),な.........
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製品説明: GT-UVV-LW InGaN ベースのUV光二極光電モード操作 特徴: 概要: インディウムガリウムナイトリドベースの材料 l 光伏モードでの動作 l TO-46 メタルホイジング l 高い応答性と低いダーク電流 応用:UVLEDモニタリング,UV放射線量測定,UVキュリング パラ........
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ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー 私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOの......
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QPD1016 RF JFET トランジスタ DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr 製造者: コルボ 製品カテゴリー: RF JFETトランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタタイプ: HEMT テクノロジー GaN SiC.........
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