SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......
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PTA20N50A PTA20N50 20A 500V TO220 MOSFETのN-Channel 部門 トランジスター- MOSFET データ用紙 PTA20N50A/ピップ...
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CSD18534Q5A Nチャネル60V 13A 8-VSONPの表面の台紙MOSFET NexFET™のデータ用紙 製造業者 テキサス・インスツルメント シリーズ NexFET™ 包装 テープ及び巻.........
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JY13M NおよびH橋およびインバーターのための低い入れられたキャパシタンスのPチャネル40V MOSFET 概説JY13Mは優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供できるNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである。補足のMOSFETsはH橋、インバーター.........
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FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC データ用紙:FDS3992 部門 FET、MOSFETは配列する Mfr onsemi シリーズ PowerTrench プロダクト状態 活動的 技術 MOSFET (金属酸化物) 構成 2 N-Channel ......
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工場 高電圧 シリコン 熱保温シート 材料 MOSFETs & IGBTs の熱保温パッド TISTM100-02熱伝導性のある高効率の保温製品です熱伝導物質にシリカゲルによって作られた保温基膜の追加は,保温と熱伝導の両方に大きな効果を生み出します. TIS100-01-シリーズデー.........
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TLV62085RLTR力道管理IC TPS62085の転換の電圧安定器のデータ用紙の回転 1特徴 DCSControlTM地勢学 95%まで効率 静止流れを作動させる17-μA 31mΩおよび23mΩ力MOSFETスイッチ 2.5-Vへの6.........
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IMZC120R012M2HXKSA1-データシート 典型的な用途 - 切り替え損失は低い - T までの過負荷操作vj= 200°C - 短回路耐久時間 2 μs - 頑丈なボディダイオード - 熱性能向上のためのXT接続技術 IMZC120R012M2Hは,インフィニオン・テクノロジ.........
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SCALE™-2 2SC0435T2G1-17 2SC0435T2G1-17予備のデータ用紙 デュアル・チャネル低価格SCALE™-2 IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 概要 低価格SCALE™-2二重運転者の中心2SC0435T2G1-17 (PCBのために適した3.1mmのコネク.........
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BTS723GW--42Vのために適したスマートなHIGH-SIDEの電源スイッチの状態のフィードバック 高いライト: プログラム可能なICの破片、集積回路の破片 速い細部: スマートな高側の電源スイッチ2チャネル:2.........
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