Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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CSD18534Q5Aの集積回路ICの破片60V 13A 8 - VSONPの表面の台紙MOSFET NexFET™

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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CSD18534Q5Aの集積回路ICの破片60V 13A 8 - VSONPの表面の台紙MOSFET NexFET™

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型式番号 :CSD18534Q5A
原産地 :CN
最低順序量 :20ピース
支払の言葉 :T/T のウェスタン・ユニオン/paypal
供給の能力 :2000個
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :リール
製造業者 :テキサス・インスツルメント
FETのタイプ :N-Channel
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
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CSD18534Q5A Nチャネル60V 13A 8-VSONPの表面の台紙MOSFET NexFET™のデータ用紙

製造業者 テキサス・インスツルメント
シリーズ NexFET™
包装 テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態 活動的
FETのタイプ Nチャネル
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) 60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 13A (Ta)、50A (Tc)
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを) 4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds 9.8 mOhm @ 14A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.3V @ 250µA
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい 22nC @ 10V
Vgs (最高) ±20V
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds 1770pF @ 30V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 3.1W (Ta)、77W (Tc)
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
土台のタイプ 表面の台紙
製造者装置パッケージ 8-VSONP (5x6)
パッケージ/場合 8-PowerTDFN

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