4 inch sic substrate

12インチ 直径300mm SIC 基板 エピタキシアル ポーリング ウェーファー シリコン カービッド インゴ プライム グレード 4H 型 導電性 太陽光発電 製品導入 12インチSiC基板 (12-インチSiC基板) は,主に高性能半導体装置の製造に使用される大型シリコンカ.........

SiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード 1抽象的な 私たちのSiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー研究グレード高品質のシリコンカービッド基板を供給し,最先端の半導体研究開発を容易にする. 2製品と会社の説明 2.1 製品.........

Siの表面Cmpが付いている4H Semi-Insulating SiCの基質は、研究の等級磨いた、4つはサイズPAM-XIAMEN良質の単結晶SiC （炭化ケイ素）のwaferfor電子および光電子工学工業を提供する。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体......

マスター接触は21.5インチのガラス基質GGのタッチ パネルの人間の特徴をもつLinux Windows 1.の製品の説明MSTを容量性タッチ パネルがPcapの技術の表面の緩和されたガラスそしてensorガラスのなされるG + G支えた。写し出された容量性技術はタッチ画面の伝導性の層のエッチングに......

LED基板のための磨き車 適用する LED基板の磨き機は,主に2 ′′,4 ′′,6 ′′LEDエピタキシアルウエフルのバックスライディングに使用されます.高性能の韓国と台湾の磨き機. 工件:サファイアエピタキシャル・ウエファー,SiC基板エピタキシャル・ウエファー,Si基板エピタキシャル・ウエ........

製品説明: 私たちのサファイア基板はサファイアテンプレート層で設計され,DSP (双面ポリシング) またはSSP (単面ポリシング) などのオプションのOF (オリエンテーションフラット) およびポリシングオプションを提供しています.厚さ100mmこの基板はマイクロ電子や光学など 様々な用途に最........

カスタマイズされたサイズ SiC 推力ディスク 腐食耐性と高熱伝導性 製品概要 この高性能複合材料の SiC トラストディスクは 厳しい環境で 極端な軸性負荷に対応するように設計されています耐磨性のあるシリコンカービッド (SiC) 面と 構造的なステンレス鋼の 固定基板を組み合わせています優れ........

よく軽い伝送の6インチのサファイアの基質 製品の説明 サファイア ガラスの化学成分は結晶構造の六角形の格子が付いているアルミナ、である。サファイアはガリウム窒化物（GaN）のエピタキシアル成長のための一般的な基質材料である。それに高温、優秀な光学性能で超高度の硬度、安定した物理的な、.........

ダイヤモンドは0.3mmの厚い薄膜のジルコニアZrO2の陶磁器の基質を磨きました陶磁器の棒の指定: 1. 原料:Yttriaは安定させましたジルコニア、MgOによってを安定させたジルコニア、95~99.5%アルミナ、炭化ケイ素（SiC） 2.方法を形作ること:突き出て、押された、陶磁器の射出成.........

パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ A2F12M12W2-F1の説明 この A2F12M12W2-F1 は、高度なシリコン カーバイド パワー MOSFET 技術を統合した.........

炭化ケイ素の螺線形のノズルに固体円錐形および空の円錐形のスプレー ノズルがある。ジェット機の角度は60°から妨害の避けることである160°にある場合もある。 3/8インチから4インチからのそれはねじおよびフランジと接続することができる。それは良く、均一霧化の効果をもたらす。 それは通常脱硫および........

防弾チョッキで使用される99.9%の純粋なSICのセラミック タイル/炭化ケイ素の陶磁器の版のほう素の炭化物の版 炭化ケイ素の粉が堅い製陶術、耐火物、研摩剤および合成補強を製造するのに使用されている。Single-crystalプロダクトは高温適用のために半導体の基質で混合物として使用される.........

HTCVD シリコンカービード (CVD SIC) エピタキシ成長炉 この装置は,炭素基/セラミック基の材料のシリコンカービードコーティングに使用されます.特に半導体の表層にシリコンカービッドが堆積し,エピタキシアル受容体とエッチリング. エピタキシアルベース 高純度グラフィットディスク 円の溝で.......

モリブデンのLEDの破片の直径25.4mm/1.0インチのための銅のウエファーの基質 モリブデン、モリブデンの銅およびタングステンの銅材料から成っているウエファーの基質:LEDランプの耐久財を作ることを、信頼でき、強い部品が装備されていなければならない。私達のモリブデンを使うと、MoCu.........

高い純度Moissaniteは炭化ケイ素の透明な性質に緩く総合的で荒いMoissaniteに4インチの賦課金およびAAAの宝石の特許を取られた高い純度の成長プロセスが原因で投石する。AAAの宝石は独特な宝石用原石材料の優れた白いmoissaniteの荒い（荒いSiC）材料を作り出せる。AAAの宝石は......

一桁、1.0。インチ桁、7 セグメント表示、コモン アノードまたはコモン カソード。 一桁の1.0。インチ7セグ表示 BD1-A01UB-A12 BD1-A01UB-C12 InGaN/SiC ブルー.........

低表面エネルギー 触覚強化されたBOPP複合材料 光を拡散する基板 セルロース粘着機能ラミネート ポイント 低表面エネルギー 触覚強化されたBOPP複合材料 光を拡散する基板 セルロース粘着機能ラミネート 長さ 200~3000m オーダーメイド 厚さ 18ミリ,28ミリ 紙コア.........

記述 比誘電率および損失のマイクロウェーブ バンドとしてMgOの単結晶は非常に小さく、それをである現在重要な産業薄いモノクリスタル基質world.MgOがFerro磁気の薄膜のための優秀な単結晶の基質のHTS、Photo-electronicおよび高いTcの超伝導体材料大きい区域の基質（2インチ........