よく軽い伝送の割れる6インチのサファイアのウエファー無し

型式番号:カスタマイズされる

原産地:重慶、中国

最低順序量:500pcs

支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、MoneyGram

供給の能力:20,000 PC/月

受渡し時間:5-8週

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重慶Silianの光電子工学科学及び技術Co.、株式会社。

正会員

Chongqing Chongqing China

住所： No.99はさみXIの道、Caijiaの町、北碚区、重慶、中国

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 28 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

よく軽い伝送の6インチのサファイアの基質

製品の説明

サファイアガラスの化学成分は結晶構造の六角形の格子が付いているアルミナ、である。サファイアはガリウム窒化物（GaN）のエピタキシアル成長のための一般的な基質材料である。それに高温、優秀な光学性能で超高度の硬度、安定した物理的な、化学特性がある。

技術仕様

特性	単位	6インチの基質
直径	mm	150.1±0.1
平らな長さ	mm	47.5±1
材料	高い純度およびモノクリスタルAL2O3
表面の水晶オリエンテーション	C平面0°±0.1°
第一次平らなオリエンテーション	平面0°±0.5°
壊された端	≤3mm
ひび	割れること
欠陥	Wrappage、対の水晶か水晶境界無し
EPD	<1000/cmの²

性能の研究

semi-polarおよび無極性のGaNはM平面およびR平面のようなある特別機が付いているサファイアの基質で <1-100>育てることができる <1-102>。semi-polarおよび無極性のGaNにLED装置の装置下垂の効果、波長の転位現象および長波長バンド効率を改善する良い業績がある。調査は多層AlGaN、またはSiを使用することを用いる高温AlNの核形成の層およびより高いAlGaNの成長の温度、または緩衝層を使用して技術を添加することが効果的にサファイアの基質で育つAlGaNのsemi-polarおよび無極性の薄膜の水晶質そして転位密度を改善できることを示した。

会社概要

重慶Silianの光電子工学科学及び技術Co.、株式会社は中国Silianの器械のグループCo.、LEDの企業の開発のための株式会社創設された。ハネウェル社のサファイアビジネスの獲得に、会社世界の最上質の大型のサファイアの生産およびR & Dの機能のなった中国の最初企業があった後。会社は世界の一流の強力なサファイアの基質の技術がある。優秀な機会を取って、会社はLEDの産業鎖のプロジェクト延長に引き続いてLEDの包装、LEDの照明適用および他の企業を開発した。サファイアの基質の中心技術に基づいて、私達は基本原料からの上限プロダクトにLEDの産業陶磁器を開発し、中国西部のdustrial基盤でエネルギー効率が良い最も完了され、最も大きい半導体になるために1000 muの区域を（およそ66.7のヘクタール）の作成した。

、自然淘汰は方向づけられる維持して顧客を通して、「人々の企業の精神を卓越性の革新および追求」および「Silianの顧客の主義受継いで導かれ、良質のサファイアの破片の基質、光学窓材料、LEDの包装装置および顧客にdesplay上限プロダクトをつけ、価値を作成する高性能LEDを顧客に与えるために顧客が付いている立場」、私達は託される。

Silianメンバーをlauching国際的な大型のサファイアの基質の標準。

サファイアガラスの成長からの基質の処理への完了された生産ラインの取得。

私達に高い純度、高い一貫性および高い反復性のqulityの利点がある。

世界の最高レベルLEDの破片に協力は製造する。