プロダクト細部 包装大きさ部分の状態時代遅れトランジスター タイプNPN現在-コレクター（（最高） IC）800mA電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）30VVceの飽和（最高） @ Ib、IC1.6V @ 50mA、500mADCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce100 @ 1......
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SOT-89-3Lはトランジスター2N3904トランジスター（NPN）をプラスチック内部に閉じ込めます。 特徴 Ÿ NPNのケイ素の転換およびアンプの塗布のためのエピタキシアル平面トランジスター 補足のタイプとしてŸは、PNPのトランジスター2N3906推薦されます Ÿ.........
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TO-92 2N3904 NPNのトランジスター集積回路は穴の土台を通って分けます 指定: この装置は一般目的のアンプおよびスイッチとして設計されています。有用なダイナミック レンジはampの終身刑囚としてス.........
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MMBT3904LT1G MMBT3904 2N3904 3904 TRANS NPN SOT23 1AM IC SOT-23はトランジスターNPN 40V 200mA 1AM 100-300をプラスチック内部に閉じ込める SOT-23はトランジスターをプラスチック内部に閉じ込める MMB.........
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MMBT3904LT1G MMBT3904 2N3904 3904 TRANS NPN SOT23 1AM IC SOT-23はトランジスターNPN 40V 200mA 1AM 100-300をプラスチック内部に閉じ込める SOT-23はトランジスターをプラスチック内部に閉じ込める MMB.........
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ケイ素SMDのトランジスターPNP表面の台紙のトランジスターMMBT3906 SOT-23 MMBT3906 SOT-23 PNPの表面の台紙のトランジスター MMBT3906 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 補足のタイプNPNのトランジスター MMBT3904は推薦される エピタキ......
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新しく、オリジナルのトランジスター2SC2240-GR 東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ（PCTプロセス）細部、Plsの参照のデータ用紙 デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール......
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S8550 CJの電子ダイオードおよびトランジスターSOT-23...
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FANUC 一般電気 パワー増幅カード IC3600APAB1 4つの小さな円形トランジスタ 詳細 部分IC3600APAB1メーカー:ジェネラル・エレクトリック記述:パワーアンプカード入手可能:データシートと詳細の情報を要求します. GE Fanuc IC3600APAB1につ.........
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2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片 IAUC60N04S6N031Hの製品の説明 IAUC60N04S6N031Hは最大限に活用されたOptiMOS™6技術に基づいている。有価証券は3.0 mΩからの60Aの7.0 mΩそし.........
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TLP785 (GB,F)データシート TLP785 (GB,F)単離装置のサブカテゴリ"光熱電池出力"に属するモデルです. 特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.PDF ファイル Docx ドキュメントTLP785 (GB,F) の高画質画像とデータシートがありま........
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電子部品Atmega32u4 Muのトランジスター カメラ モジュールのための新しい集積回路の破片Atmega32u4 Mu IC Atmega32u4 Mu ねずみを捕る猫#:556-ATMEGA32U4-MUMfr。#:ATMEGA32U4-MUMfr。:マイクロチップ・テクノロ.........
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STPSC10H065BY-TR ダイオード 650 V 10A 面実装 DPAK データシート：STPSC10H065BY-TR カテゴリー 単一ダイオード 製造元 STマイクロエレクトロニクス シリーズ 自動車、AEC-Q101 製品の状態 アクティブ テクノロジー SiC（炭化ケイ素）ショット......
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新しいモジュール1MBI400NA-120富士モジュール元のIGBT力モジュール 部分の部門:トランジスター製造業者:アメリカのFuji Electric Corp.記述:絶縁されたゲートの両極トランジスター、400A I （C）、1200V V （BR） CES、N-Channe .........
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