2N3904先端シリーズ トランジスター表面の台紙の高い細胞密度の保管温度-55-150
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SOT-89-3Lはトランジスター2N3904トランジスター（NPN）をプラスチック内部に閉じ込めます。
特徴
Ÿ NPNのケイ素の転換およびアンプの塗布のためのエピタキシアル平面トランジスター
補足のタイプとしてŸは、PNPのトランジスター2N3906推薦されます
Ÿのこのトランジスターはタイプ指定MMBT3904とのSOT-23場合でまた利用できます
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| 2N3904 | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| 2N3904-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければTa =25Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 60 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 40 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 0.2 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 0.625 | W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=10ΜA、すなわち=0 | 60 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= 1mA、IB=0 | 40 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 10µA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=60V、すなわち=0 | 0.1 | µA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEX | VCE=30V、VEB（） =3V | 0.05 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 5V、IC=0 | 0.1 | µA | ||
DCの現在の利益 | hFE1 | VCE=1V、IC=10mA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=1V、IC=50mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=1V、IC=100mA | 30 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=50mA、IB=5mA | 0.3 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=50mA、IB=5mA | 0.95 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=20V、IC=10mA、f=100MHz | 300 | MHZ | ||
| 遅れ時間 | td | VCC=3V、VBE=0.5V、 IC=10mA、IB1=1mA | 35 | ns | ||
| 上昇時間 | tr | 35 | ns | |||
| 貯蔵時間 | ts | VCC=3V、IC=10mA IB1=IB2=1mA | 200 | ns | ||
| 落下時間 | tf | 50 | ns |
hFE1の分類
| ランク | O | Y | G |
| RAのnge | 100-200 | 200-300 | 300-400 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
TO-92によって提案されるパッドのレイアウト
TO-92 7DSH DQG 5HHO
2N3904先端シリーズ トランジスター表面の台紙の高い細胞密度の保管温度-55-150
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