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プロダクト:IRS2301STRPBFの半導体ICの破片
記述:
IRS2301STRPBFの半導体ICの破片は高側および低側のゲートの運転者の塗布の使用のために設計されているゲートの運転者ICである。この装置は作り付けのチャージ ポンプおよび不足電圧閉鎖保護を特色にする。破片にまたヒステリシスを用いる統合された熱操業停止、出力短絡の保護および論理の入力がある。
特徴:
- 高側および低側の適用のためのゲートの運転者IC
- 作り付けのチャージ ポンプおよび不足電圧閉鎖保護
- 統合された熱操業停止および出力短絡の保護
- ヒステリシスを用いる論理の入力
パッケージ:SOIC-8
作動の電圧:6Vへの20V
実用温度:-40℃への+125℃
出力電圧:1.2Vへの20V
出力電流:1.5A
伝搬遅延:850ns
上昇/落下の時間:200ns/400ns
論理の入力:2.4Vへの5.5V
製品の機能:
•作動の電圧範囲:10Vへの600V
•出力電流:4A
•実用温度範囲:-40 125°Cに
•次元:6つx 6つのmm
•低い電力の消費
•高い転換の頻度
•短絡の保護
•高いノイズ耐性
•高いEMI/RFIの性能
•高い熱安定性
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