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3 年
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製品名:IR2106STRPBFの半導体ICの破片
製品の説明:
この半導体ICの破片はいろいろな適用の信頼できる性能そして改善された効率を提供するように設計されている。それは記憶保護機構の作り付けのhigh-currentゲートの運転者、過電圧の保護および広い範囲が付いている高性能MOSFETの運転者を特色にする。それは高められた信頼性のための延長温度較差そして改善された電力損失を提供する。
プロダクト変数:
- 作動の電圧:8Vへの20V
- 実用温度:-40°Cへの+125°C
- 出力電流:4A
- 出力電圧:-20Vへの+20V
- 転換の頻度:100kHzまで
- 記憶保護機構:過電圧、不足電圧、温度過昇、短絡、およびもっと
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