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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
電子部品ICの破片 (627)
フラッシュ・メモリの破片 (655)
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IGBT力モジュール (42)
ICのダイオードのトランジスター (10)
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SI5855CDC-T1-E3 MOSFETの電源スイッチ-高い現在の低いオン抵抗および低いゲート充満。
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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フラッシュ・メモリの破片
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SI5855CDC-T1-E3 MOSFETの電源スイッチ-高い現在の低いオン抵抗および低いゲート充満。
製品の詳細
プロダクト リスト: SI5855 CDC-T 1- E3のN-Channelの強化モードMOSFET •下水管源の電圧:40ボルト •ゲート源の電圧:±20 V •連続的な下水管の流れ:8 A •Rds （）:0.06 Ω •実用温度範囲:-55から150 °C •タイプの取付け:表面の台紙 •...
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商品のタグ：
モスフェット 100a
標準電源モスフェット
モスフェット200a
