モスフェット 100a

AON6144 MOSFET パワー エレクトロニクス トランジスタ FET MOSFET シングル Nチャンネル 40V 100A 面実装 パッケージ 8-DFN...

SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs SCT020H120G3AGの製品の説明 SCT020H120G3AG SiCのMOSFETs - 100A広いBandgapのトランジスターは、頻度、エネルギ.........

高い発電MOSFET FDL100N50FのN-ChannelのUniFETTM FRFETの® 500 V 100A 55mΩ TO-264 高い発電MOSFET FDL100N50FのN-ChannelのUniFETTM FRFETの® 500 V 100A 55mΩ TO-264 [......

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 オプティモス 3M 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース:.........

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BSC046N10NS3G Mosfet力トランジスターMOSFET N CH 100V 100A TDSON-8 特徴 •高周波適用のためのまさに低いゲート充満 •dc dc転換のために最大限に活用される •N-channel、正常なレベル•優秀な.........

BUK9875-100A/CUX タイプ 記述 部門 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - Mfr Nexperia USA Inc。...

NVMFS5A160PLZWFT1G MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN 在庫の他の電子部品のリスト RK12L123...

HV 12S 100Aの空気のための理性的なブラシレス コントローラーRC車ESC 基本情報: 電圧 現在 サイズ（mm） 重量（g） BEC （ボルト/Amps） 箱のプログラミング サポート コンピュータ・プログラミング サポート.........

3S 12V 60A 80A 100A 120A Smart BMS System With Temp Sensor And UART Communication 項目 Min. タイプ 最高。...

BUK7640-100Aの118の指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ...

IRFB7434PBFのN-Channel 40 V 195A （穴TO-220ABを通したTc） 294W （Tc） 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ プロダクト状態 活動的 FETのタイプ N-Channel 技術 MOSFET （金属酸化物） ......

製造業者: Infineon 製品カテゴリ: MOSFET RoHS: 細部 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT パッケージ/場合: TDSON-8 トランジスター極性: N-Channel チャネルの数: 1つのチャネル Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 40ボルト ID -連続的な下......

ISO9001.pdf プロダクト技術仕様 EU RoHS 免除と迎合的 ECCN （米国） EAR99...

速度をすぐに切るエネルギー集中はきれいな容量の切り傷小さい変形MOSFETインバーターに細長い穴をつけ、精密一定した現在のフィードバック制御の技術、PWIN調節技術、高性能インバーター、小型、軽量、高性能は鋼鉄、ステンレス鋼、アルミニウム、銅の切断に適用します。等指定:電源電圧:3段.........

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ACSSRリレー横型ダブルLEDインジケーターのACSSR の説明AC単相SSRソリッドステートリレー ソリッドステートリレーPDF：https：//maiimg.com/free/？e = dyPPp / s2DmrS66 rectifer.pdf パワーコントローラー.pdf カップリング 制御......

SOURCE-DRAINのダイオードの評価および特徴（TC = 25 °C） 連続的な流れ IS 50 A 脈打った流れ3 ISM 150...