モスフェット 100a

KSD1408YTU パワー MOSFET 100A 電流3.8mandOmega;低Rds(オン) 急速切換 高効率 150anddeg;C 格付け 超低ゲート充電 高級 dv/dt 頑丈性 ハロゲンフリーおよび RoHS対応 そして 特徴 1超低電阻 (3.8 マンドオメガ)システム効率を高め,......

AON6144 MOSFET パワー エレクトロニクス トランジスタ FET MOSFET シングル Nチャンネル 40V 100A 面実装 パッケージ 8-DFN...

SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs SCT020H120G3AGの製品の説明 SCT020H120G3AG SiCのMOSFETs - 100A広いBandgapのトランジスターは、頻度、エネルギ.........

高い発電MOSFET FDL100N50FのN-ChannelのUniFETTM FRFETの® 500 V 100A 55mΩ TO-264 高い発電MOSFET FDL100N50FのN-ChannelのUniFETTM FRFETの® 500 V 100A 55mΩ TO-264 [......

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 オプティモス 3M 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース:.........

BSC046N10NS3G Mosfet力トランジスターMOSFET N CH 100V 100A TDSON-8 特徴 •高周波適用のためのまさに低いゲート充満 •dc dc転換のために最大限に活用される •N-channel、正常なレベル•優秀な.........

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PSMN1R0-30YLC、115 タイプ 記述 部門 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - Mfr Nexperia USA Inc。...

3S 12V 60A 80A 100A 120A Smart BMS System With Temp Sensor And UART Communication 項目 Min. タイプ 最高。...

HV 12S 100Aの空気のための理性的なブラシレス コントローラーRC車ESC 基本情報: 電圧 現在 サイズ（mm） 重量（g） BEC （ボルト/Amps） 箱のプログラミング サポート コンピュータ・プログラミング サポート.........

NVMFS5A160PLZWFT1G MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN 在庫の他の電子部品のリスト RK12L123...

BUK7640-100Aの118の指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ...

IRFB7434PBFのN-Channel 40 V 195A （穴TO-220ABを通したTc） 294W （Tc） 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ プロダクト状態 活動的 FETのタイプ N-Channel 技術 MOSFET （金属酸化物） ......

製造業者: Infineon 製品カテゴリ: MOSFET RoHS: 細部 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT パッケージ/場合: TDSON-8 トランジスター極性: N-Channel チャネルの数: 1つのチャネル Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 40ボルト ID -連続的な下......

GCE 70S224V 100A 高電圧BMS スマートBMS Lifepo4 BMS 15s シリーズバッテリー管理システム エネルギー貯蔵システムのための高電圧BMSソリューション 高電圧BMSは,基本モジュールとして8-24文字列に組織された複数の電池セルを管理するように設計されています.........

ISO9001.pdf プロダクト技術仕様 EU RoHS 免除と迎合的 ECCN （米国） EAR99...

速度をすぐに切るエネルギー集中はきれいな容量の切り傷小さい変形MOSFETインバーターに細長い穴をつけ、精密一定した現在のフィードバック制御の技術、PWIN調節技術、高性能インバーター、小型、軽量、高性能は鋼鉄、ステンレス鋼、アルミニウム、銅の切断に適用します。等指定:電源電圧:3段.........

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