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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........
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ガリウム ニトリド 50V 16W DC-6GHzRF パワー トランジスタ 記述 について STAV58016P2 は a は 16 ワット 匹敵しない GaN HEMT 理想的なについて 一般的な用途に 6GHzで特徴は高い 幅広く バンド そして 低い 費用 中 4*4.5mmDFNプラスチッ......
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N端 PA 1200-1500 MHz 高電力 100W RF パワーアンプモジュール UAV FPVカウンター TXtelsig 高電力 100W PA 1200-1500 MHz RF パワーアンプモジュールは,カスタマイズ可能なモジュールの一種です.この電源増幅器は 周波数範囲 1200-15......
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半径RF信号の妨害機を詰め込む50metersのための高い発電 製品の説明 RFの妨害機の特別な設計は特定の頻度しか妨げないことができます。その場合では、作動315/433MHzおよびそれは50mまで間隔で車およびガレージのドアのブロック信号できました。この装置は人間および動物に危険をもたらさな........
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2.4 GHzの高い発電RFの電力増幅器50dBmはLAN 2kg重量を得る 特徴: 1軒の家の統合された騒音源およびRF PA、小型はそれにだけおよびDC28,6Aを接続する 監視ユニットおよびPA回路に高い放射されたRF力の干渉を防ぎなさい 私達はあなたに1台のラジエーター設置.........
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高い発電無線低損失RFの同軸ケーブル50オームの高圧 ケーブルの紹介:rfケーブルの1つの側面のBNCのコネクターを使用して、別の側面はBNC、SMA、NのタイプIPEX、U.FL等のような他のどのrfのコネクターによっても接続しました、ケーブルはまた別のタイプとしてなされます:RG316、RG1.......
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私達のマイクロ針rf機械についての表面rejuvの速いデータのための最低の侵略的な高い発電の表面僅かrf持ち上がるmicroneedle機械:モデルFMN-Iの頻度5MHZ合計RFの処置のLeval 1-10力80Wのタイプの針81は、49tipsの針0.3-3mm (私達のmicroneedle僅......
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マイクロ波電源増幅器 高性能RFやミリ波波のアプリケーション用に設計されていますメガHzから40GHzまでの周波数で優れた信号完整性と信頼性を保証する. 製品概要 ワイヤレス通信,レーダーシステム,航空宇宙アプリケーション,精密テスト機器のために設計されたこれらのアンプは,ブロードバンド,高電力........
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不凝縮802.11g WPA2の高い発電usbの無線アダプター ネットワークGWF-PA01 主な特長: 2.4GHzの主義バンド。...
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IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........
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高い発電の導かれた脱熱器はトランジスターのためのヒート パイプ脱熱器が付いているアルミニウム ジッパーのひれ脱熱器をカスタマイズした 短い細部: 製品タイプ:脱熱器 表面処理:銀は陽極酸化する 保証(年):2年。 プロセス:放出 IP65を評価するIP Cetificatio.........
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50W 高電力 肩持ちトランジスタ メガフォン 販売 AUDIO アプリケーション 公共の場 学校 商店 政府... AUDIO 機能 * 強いABS素材 * エルゴノミックな握り具* デジタル音響ソリューション* 切断可能なマイク* サイレンアラームモード* 音量制御を調整する*.........
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NMのコネクターの末端の積込み機50のオーム100Wの高い発電RFの終了 rfの終了50オームsmaの終了50オーム50オームrfの負荷終了 製品の機能 無線周波数およびマイクロウェーブ システムでネットワークに一致させるために主に使用されて; 高い発電の設計の広い働くバ.........
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製品の説明 3G 3.5G 4G RFのアンプ力管理IC FAN5903BUCX 2.7V-5.5V FAN5903BUCX 適用 コンバーター、3G、3.5Gの4G RFの電力増幅器 電圧入力 2.7V | 5.5V......
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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 3C-N SiC ウェーファー シリコンカービッド 光電子 高功率 RF LEDS 3C-N SiCウエフルの説明: 4H-Sic と比べると,3Cシリコンカービッドのバンドギャップは (3C SiC)4H-SiCよりも優れている. さらに,この材料は,断........
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