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フェアチャイルドの半導体FDMC4435BZ MOSFETのパワー エレクトロニクス
特徴:
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•単一の脈拍のなだれエネルギーは評価した
•テストされる100% UIS
•平行になる容易さ
•速い切換え
•無鉛迎合的な終わり/Rohs
適用:
•DC-DCのコンバーター
•運動制御
•無停電電源装置
•自動車
•高性能の切換え
•電池管理
•木びき台、倍力および隔離されたコンバーター
指定:
•下水管源の電圧（Vdss）:40V
•ゲート源の電圧（Vgs）:±20V
•現在-連続的な下水管（ID） （Vgs=10Vで）:40A
•RdsOn （最高） @ ID、Vgs:8 mOhm @ 20A、10V
•入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:3700pF @ 25V
•パワー最高:130W
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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20mOhm @ 8.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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46 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±25V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2045 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.3W （Ta）、31W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-MLP （3.3x3.3）
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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