高功率モスフェットスイッチ

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製品概要 1×1,1×2 設定可能なOADMのための高電力光学スイッチ 1×1,1×2 高電力光ファイバースイッチ GEZHI Photonics ハイパワー 1×1, 1×2 ファイバー光学スイッチは,受信光学信号を選択した出力ファイバーにリダイレクトすることによって光学チャネルを接続す.........

高い発電QスイッチND YAGレーザーの入れ墨の取り外しの&長い脈拍レーザーはQによって転換されるND YAGレーザー機械私達の新しい設計であり、最も大きい昇進に今あります。Qによって転換されるND YAGレーザー機械レーザーの腕は輸入される機械質および処置のeffetを確かめることができる韓国語で......

製品の説明1.Koreaは7つの接合箇所の軽い指導の腕2.1064nm、532nmを輸入し、1320nm 3波長3.All色は6.3年の取り外し4.1500mjの出力エネルギー5.0.7-8mm調節可能な点サイズをよい価格レーザーのタイプ電気光学nd yagによってQ転換されるレーザーの波......

工場直売!表皮および皮膚の色素形成の療法療法のセリウムの原則の高い発電Qスイッチ入れ墨の取り外しのndyagレーザー機械/医学レーザー装置-----Ndの爆発性の効果の利用:YAGレーザーのレーザーの浸透顔料の固まりの量を含んでいる皮膚への表皮。ナノ秒のしかしすぐに極度の高エネルギー、打撃の.........

製品名 高功率電池スイッチ 安全切断スイッチ 自動車/船舶/トラック用 材料 プラスチック,銅,鉄など 格付け 300A,12から24VDC 申請した 車,RV,ヨット,トラック,船など 特徴 耐久性バッテリー隔離スイッチ キー操作 マスタ.........

バイメタルの熱保護装置の強力な温度スイッチ150°C 熱保護装置の特徴 バイメタルの熱保護装置に低い抵抗、急速な行為感じる、速い温度安全および信頼性、および小型の利点がある。 熱保護装置の働き原則: 働くとき、バイメタルの要素は自由国にある、移動接触および静的な接触は閉鎖して、回路は始動.........

高い発電Nd Yagレーザー機械 働き主義 レーザー エネルギーは表皮を突き通し、内生顔料の部品に達する。顔料はこの高エネルギーを吸収し、急速な拡張を得る。最後に小粒子への壊れ目。これらの小粒子は食細胞によって巻き込まれ、ボディ新陳代謝で排出される。従って、顔料は次第に衰退し、入れ墨の取り.........

中心PCBの製造業者のCUの母材PCB板高い発電の穂軸PCBスイッチPCBに金属をかぶせて下さい PCBはタイプします 物質的なタイプ 物質的なブランド 単一サイドPCB二重サイドPCB多層PCB単一サイドPCB CEM-1FR-4.........

連結された専門qはndのyagレーザー/痛みのない1064/532nmレーザーの入れ墨の取り外し機械1）進められたLEDスクリーンを、7つの接合箇所光通信のために武装します転換しました。2）単一のパルス エネルギーは深く内生色素形成を完全そして容易に除去する1,500mjまである場合もあります。3） ......

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150Mの高い発電のバックパック信号の妨害機のManpackのポータブル 警察のための携帯電話信号の妨害機 製品の説明 システムを詰め込む1、高い発電のFreqeuncyスキャン護送最も有効な、最も信頼できるRFを実行します 妨害機の技術および完全統合された広.........

アメリカ米国の入れ墨の色素形成のeyebrownのクリーニング機械のための熱い販売の専門の高い発電ND.yag Qswitchレーザー AD-HQの記述: ADMレーザーの携帯用ポータブルND.YAG Qswitchレーザーは「入れ墨取り外し」の処置のために主に設計されています。二重冷却のラジ.........

記述 ND YAGレーザーは入れ墨を取除く入れ墨の顔料を破壊する短く、鋭い脈拍の特定の方法でライトを出す効果的な方法であると証明される。それらは皮内の顔料によって吸収される。この光エネルギーはnanometres （nm）で測定され、532nm、1064nmの波長で出る。.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

Nは高圧Mosfet 650V 10A高精度なRoHS迎合的なTO-220Fを運びます 適用 アダプター及び充電器 SMPSの予備発電 AC-DCの切換えの電源 LEDの運転力 特徴 抵抗の低速 低いゲート充満 ピーク電流対脈拍幅のカーブ 迎合的なRoHS 発注情報 部品番号: H10N65 指定......

SSC9522Sは高い側面力MOSFETのための浮遊ドライブ回路で造った 1.General記述 SSC9522Sは半橋共鳴タイプ電源のためのコントローラーIC （SMZ方法組み込む）、高側のMOSFETドライブのための浮遊ドライブ回路をである。※ SMZ =ソフト転換された複数の共.........

力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........