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MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G
製品説明：
MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G は、動作電圧 20 V、最大ドレイン-ソース電圧 30 V の N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス モジュールです。このモジュールは、低いゲートしきい値電圧と低い入力容量を特徴としており、パワー エレクトロニクス アプリケーションに最適です。このモジュールには統合された低抵抗ソース/ドレイン ダイオードが装備されており、最大 5A の連続電流定格を処理できます。
製品の特徴：
• NチャンネルMOSFETパワーエレクトロニクスモジュール
• 動作電圧: 20V
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 30V
• 低いゲートしきい値電圧
• 低い入力容量
• 統合された低抵抗ソース・ドレイン・ダイオード
• 連続電流定格: 5A
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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4.7ミリオーム @ 50A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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33.7 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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2164 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.7W(Ta)、79W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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