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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
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Mosfet トランジスタ NVMFS5C646NLAFT1G 低オン抵抗、高効率、耐久性
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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Mosfet トランジスタ NVMFS5C646NLAFT1G 低オン抵抗、高効率、耐久性
製品の詳細
MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G 製品説明： MOSFET パワー エレクトロニクス NVMFS5C646NLAFT1G は、動作電圧 20 V、最大ドレイン-ソース電圧 30 V の N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス モジュールです。こ...
製品詳細図 →
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モスフェット200a
n型モスフェット
モスフェット型
