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3 年
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IRFB4019PBF MOSFET パワーエレクトロニクス
製品説明：
IRFB4019PBF は、International Rectifier の高性能シリコンベース MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。これは、電源およびその他の電力変換アプリケーションで優れた性能を提供するように設計された電圧制御絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) です。このデバイスは、拡張サーマル パッドを備えた TO-220AC パッケージで提供されます。
特徴：
• 低いオン抵抗 (RDS(on))
• 低いゲート電荷 (Qg)
• 低いゲート・ソース間容量 (Ciss)
• 最大ジャンクション温度 (Tjmax) 175°C
• 最大ドレイン・ソース間電圧 (VDS) 600V
• 最大ドレイン電流 (ID) 60A
• 動作温度範囲 -55°C ～ 175°C
• 鉛フリー、RoHS 準拠
応用：
IRFB4019PBF は、電源、太陽光発電インバーター、モーター コントローラー、その他の電力変換アプリケーションなどの幅広いアプリケーションでの使用に適しています。
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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95ミリオーム @ 10A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4.9V @ 50μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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20nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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800pF@50V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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80W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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