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IRF6613TRPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
製品説明：
IRF6613TRPBF は、高周波スイッチング アプリケーション向けに設計された N チャネル エンハンスメント モード MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。このデバイスは低いオン抵抗と高い電流容量を備えているため、高周波回路の電源管理と変換に最適です。
特徴：
• 低いオン抵抗
• 高い電流容量
• 高周波スイッチング
• RoHS対応
仕様:
• 極性: Nチャンネル
• 電圧: 30V
• ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 30V
• ゲートしきい値電圧 (Vgs): -4V
• ドレイン電流 (Id): -6A
• 連続ドレイン電流 (Id): -6A
• 消費電力 (Pd): 130W
• トランジスタケースのスタイル: TO-220AB
• ピンの数: 3
• 動作温度範囲: -55°C ～ +150°C
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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3.4ミリオーム @ 23A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.25V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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63nC @ 4.5V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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5950 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.8W(Ta)、89W(Tc)
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動作温度
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-40℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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ダイレクトフェット™ MT
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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