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IRF8788TRPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
製品説明: IRF8788TRPBF は、高度な MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。高電流および高電圧スイッチングを必要とするアプリケーションで優れたパフォーマンスを提供するように設計されています。オン抵抗が低く、スイッチング速度が速いため、大電流の電源管理アプリケーションに最適です。
特徴：
・低いオン抵抗
• 高速スイッチング速度
• 大電流能力
• ESD保護（±20kV HBM）
• EMIの低減
• サーマルシャットダウン保護
• 鉛フリー、RoHS 準拠
絶対最大定格：
• ドレイン・ソース電圧 (VDS): 100V
• ゲート・ソース電圧 (VGS): ±20V
• ドレイン電流 (ID): 10A
• 消費電力 (PD): 0.5W
• 動作温度範囲 (TJ): -55 ～ 150°C
• 保存温度範囲 (Tstg): -55 ～ 150°C
パッケージ: D2PAK
メーカー: インフィニオン テクノロジーズ
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.8ミリオーム @ 24A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.35V @ 100μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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66nC @ 4.5V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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5720 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-SO
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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