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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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パワーエレクトロニクスにおけるMOSFET Si2307CDS-T1-GE3高性能低電圧スイッチング

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型式番号 :SI2307CDS-T1-GE3

原産地 :複数の起源

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :99999

受渡し時間 :1-7days

包装の細部 :標準

プロダクト状態 :活動的

FETのタイプ :P-Channel

技術 :MOSFET （金属酸化物）

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :3.5A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

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製品の説明を表示

製品名: Si2307CDS-T1-GE3 MOSFET

製品説明: Si2307CDS-T1-GE3 MOSFET は、さまざまなパワーエレクトロニクスアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー MOSFET です。低いオン抵抗、速いスイッチング時間、低いゲート電荷が特徴です。超低逆転送容量と改善されたゲート電荷により、スイッチング損失と導通損失が最小限に抑えられます。

主な特徴:

• 低いオン抵抗
• 高速スイッチング時間
• 低いゲート電荷
• 超低逆転送容量
• ゲートチャージの改善
• 低い伝導損失
• 高い消費電力
• 高温動作
• 低い入力容量
• 高周波動作

アプリケーション:

• DC-DCコンバータ
・電源回路
• モーター制御回路
• スイッチングレギュレータ
• 照明制御
• バッテリー充電器
• パワーアンプ
• 太陽光発電システム
• 自動車用途
• 産業用途

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利

• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
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