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MOSFET力エレクトロニクスMGSF2N02ELT1G SOT-23 パッケージ 2.8 A 20 VN チャネルエンハンスメントモード MOSFET トランジスタ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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2.5V、4.5V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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85ミリオーム @ 3.6A、4.5V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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1V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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3.5nC @ 4V
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Vgs (最大)
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±8V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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150 pF @ 5 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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1.25W(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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SOT-23-3 (TO-236)
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パッケージ・ケース
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これらの小型表面実装 MOSFET は、低い RDS(on) を保証します。
電力損失を最小限に抑え、エネルギーを節約するため、これらのデバイスは理想的です
スペースに敏感な電源管理回路での使用向け。
特徴
• 低い RDS(on) により効率が向上し、バッテリ寿命が延長されます。
• 小型 SOT-23 表面実装パッケージにより基板スペースを節約
• IDSS は高温で仕様化されています
• AEC Q101 認定および PPAP 対応 - MVSF2N02EL
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
アプリケーション
・DC-DCコンバータ
• ポータブル製品およびバッテリ駆動製品の電源管理。つまり、次のとおりです。
コンピュータ、プリンタ、PCMCIA カード、セルラーおよびコードレス
電話
